一种蓝光、黄光量子阱堆叠结构的白光发光二极管，包括：一蓝宝石衬底、或氮化镓衬底、或碳化硅衬底、或硅衬底；一缓冲层制作在衬底上；一Ｎ型氮化镓外延层制作在缓冲层上；一Ｎ型掺杂的Ａｌ↓［ａ］Ｉｎ↓［ｂ］Ｇａ↓［１－ａ－ｂ］Ｎ四元合金制作在Ｎ型...

一种改进砷化镓半导体晶片表面质量的方法，其特征在于，包括如下步骤：１）取一砷化镓半导体晶片；２）向砷化镓半导体晶片做质子叠加注入，使砷化镓半导体晶片材料的表面下的表面层在注入后具有更高的晶体质量；３）退火。

一种ＰＩＮ结构氮化镓基紫外探测器，其特征在于，其中包括：一衬底；一Ｎ型欧姆接触层，该Ｎ型欧姆接触层制作在衬底上；一有源层，该有源层制作在Ｎ型欧姆接触层上，并且该有源层的面积小于Ｎ型欧姆接触层；一窗口层，该窗口层制作在有源层上；一Ｎ型欧姆...

一种具有外加磁场的深能级瞬态谱测量装置，用于观察稀磁半导体材料中由于磁性离子引进的杂质和缺陷深能级与外加磁场相互作用信息，其特征在于，包括：一永久磁铁，该永久磁铁为圆柱形；一底板，该底板置于永久磁铁的下方；两块防护板，该防护板为矩形，该...

一种背孔结构氮化镓基发光二极管的制作方法，包括：在蓝宝石等绝缘衬底上依次外延生长Ｎ型氮化镓层，多量子阱发光有源区和Ｐ型氮化镓层；光刻刻蚀到Ｎ型氮化镓层内，制备Ｐ型欧姆接触电极和Ｎ型欧姆接触电极；划片将外延片上的管芯分割成单个管芯；在硅片...

一种测量非共面电极激光器芯片的高频测试夹具，其特征在于，包括：多个导体平板，该导体平板为矩形，该多个导体平板相互叠放焊接构成多台阶结构；该多台阶结构的落差均不相同。

一种同一半导体芯片上不同周期全息光栅的制作方法，包括：在衬底上依次生长下波导层、多量子阱层、上波导层和保护层，得到含有半导体波导结构的芯片；将含有半导体波导结构芯片上表面的保护层均匀地涂光刻胶、掩膜光刻、显影、部分腐蚀保护层，得到第一周...

一种垂直腔面发射激光器的ＴＯ同轴封装测试用的夹具，其特性在于，其中包括：一底件，该底件为矩形结构，在该底件的上面开有一个尺寸小于ＴＯ同轴封装管座的大小的圆孔，在该圆孔的两侧开有两个螺孔；在该底件的长侧面上开有第一圆孔和第二圆孔；一盖片，...

本发明提供一种利用离子束外延（ＩＢＥ）生长设备制备氮化锆（ＺｒＮ）薄膜材料的方法。在具有质量分离功能与荷能离子沉积特点的双离子束外延生长设备上，选用纯度要求不高的氯化锆（ＺｒＣｌ↓［４］）固体粉末和氮气（Ｎ↓［２］）分别作为产生同位素纯...

本发明提供一种利用离子束外延（ＩＢＥ）生长设备制备氮化铪（ＨｆＮ）薄膜材料的方法。在具有质量分离功能与荷能离子沉积特点的双离子束外延生长设备上，选用纯度要求不高的氯化铪（ＨｆＣｌ↓［４］）固体粉末和氮气（Ｎ↓［２］）分别作为产生同位素纯...

一种利用改造的液相外延炉实现不同材料晶片键合的方法，包括如下步骤：ａ）晶片的清洗与表面处理；ｂ）键合所用的夹具的实现；ｃ）在夹具底部使用压电陶瓷片实现键合压力的测量；ｄ）将所需晶片固定在键合夹具中，然后放在高纯石英玻璃管中抽真空至１０↑...

本发明涉及制备高Ｋ栅介质材料的方法，特别是指一种制备组分可调的新型三元高Ｋ材料的方法。该方法，即：在半导体衬底上用溅射的方法生长三元高Ｋ薄膜材料。包括步骤：ａ）选择硅（Ｓｉ）、砷化镓（ＧａＡｓ）和锑化镓（ＧａＳｂ）作为半导体衬底；ｂ）薄...

一种制备绝缘体上锗硅薄膜材料的方法，其特征在于，步骤如下：ａ．利用气固源分子束外延设备以绝缘体上硅为衬底材料外延生长锗硅合金薄膜；ｂ．再在氧化气氛的石英管式退火炉中进行高温退火处理；ｃ．用湿化学腐蚀法或化学机械抛光法除去材料表面的氧化层...

一种基于电吸收调制器光开关技术产生超短光脉冲的方法，包括如下步骤：采用选择区域生长法将分布反馈激光器与两级联双电吸收调制器在磷化铟衬底上进行单片集成；将分布反馈激光器与两级联双电吸收调制器单片集成器件芯片烧结在导电性能良好的热沉上，引出...

一种倒装氮化镓基发光二极管芯片的制作方法，包括如下步骤：在蓝宝石等绝缘衬底上依次外延生长氮化镓Ｎ型接触层，发光有源区和Ｐ型氮化镓层；在Ｐ型氮化镓层上淀积二氧化硅或氮化硅绝缘层；将蓝宝石衬底从背面减薄；在支撑体上沉积二氧化硅或氮化硅等绝缘...

一种在砷化镓衬底上生长铟砷锑薄膜的液相外延生长方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤１：取一衬底；步骤２：用石墨或石英制成生长容器；步骤３：根据液相外延的原理，将含有铟、锑和砷的源按原子数比配制成生长母源并将它们放入生长容器中，在外延炉中...

一种提高氮化镓基高电子迁移率晶体管性能的结构，包括：一蓝宝石衬底或碳化硅衬底或硅衬底；一高阻半绝缘氮化镓缓冲层，该高阻半绝缘氮化镓缓冲层制作在衬底上；一高迁移率氮化镓沟道层，该高迁移率氮化镓沟道层制作在高阻半绝缘氮化镓缓冲层上；一薄层氮...

本发明是一种使多个Ｖ形光伏器件组件连接的方法，涉及半导体技术领域，是在多个Ｖ形光伏器件组件中选择光伏器件板表面法线方向相同，并且具有相同或相近电输出参数的光伏器件板，将这些同法线方向的光伏器件板的电输出端连接在一起，进而形成输出电能线路...

一种双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构，其特征在于，包括：一衬底，该衬底为蓝宝石衬底或碳化硅衬底或硅衬底；一高阻氮化镓缓冲层，该高阻氮化镓缓冲层制作在衬底上；一薄层非故意掺杂铝镓氮插入层，该非故意掺杂铝镓氮插入层制作在高阻氮化镓缓...

一种集成太阳电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤１：以半绝缘砷化镓单晶片为衬底；步骤２：利用金属有机化合物气相沉积法和液相外延生长技术，生长太阳电池外延片；步骤３：采用多次刻蚀、镀膜及合金工艺将太阳电池外延片分隔成多个单元；步...