一种具有布拉格反射器的ｎ↑［＋］／ｐ型高抗辐照砷化镓太阳电池结构，包括：一衬底，该衬底用于在其上进行太阳电池各层材料外延生长；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；一布拉格反射器结构，该布拉格反射器结构制作在缓冲层上；一基区，该基区制作在布拉...

一种利用温度改变不同热膨胀系数材料的晶片键合的方法，其特征在于，包括如下步骤：ａ）将晶片进行清洗与表面处理；ｂ）将清洗及表面处理后的晶片固定在带有附加加热装置的键合夹具中，放入密闭石英腔体中抽真空；ｃ）把装有键合夹具及晶片的石英腔体放入...

一种通过注氧进行量子限制的硅基单电子晶体管，包括：一硅衬底；一氧化物绝缘层制作在硅衬底上；一硅纳米电导细线制作在氧化物绝缘层上；一源极和漏极分别制作在氧化物绝缘层上，分别位于硅纳米电导细线的两端，并与硅纳米电导细线连接；一平面栅电极制作...

本发明涉及固定夹具技术领域，特别是一种磁控溅射仪衬底固定夹具。用于固定磁控溅射仪所用的衬底。包括：一盖片，该盖片主体为长方形，在其一边有三个方形缺口，两端各有一个通孔；一衬底托，该衬底托为圆形，内部有两个螺丝孔，其孔距与盖片上的通孔孔距...

本发明一种提高铝镓氮材料质量的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤１：取一衬底；步骤２：在该衬底上生长一层成核层；步骤３：在该成核层上生长一层过渡层；步骤４：在该过渡层上生长一层掺杂的铝镓氮层，完成材料的制作。

本发明一种背照射氮化镓基肖特基结构紫外探测器，其特征在于，包括：一衬底；一成核层，该成核层生长在衬底上；一欧姆接触层，该欧姆接触层生长在成核层上；一有源层，该有源层生长在欧姆接触层上，该有源层的面积小于欧姆接触层的面积，位于欧姆接触层上...

一种氧化锌基的蓝光发光二极管，包括：一衬底，该衬底为圆形；一缓冲层制作在衬底上，该缓冲层有利于提高材料的外延生长质量；一ｎ－氧化锌层制作在缓冲层上，在该ｎ－氧化锌层的边缘刻蚀出环形台阶，该ｎ－氧化锌层有利于作出环形金／钛电极；一ｉ－氧化...

本发明一种在硅衬底上生长无裂纹氮化镓薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：（１）选择一大失配衬底；（２）在大失配衬底上生长氧化物缓冲层，氧化物缓冲层可以缓解衬底与氮化镓薄膜之间的晶格失配，阻隔金属镓与衬底反应；（３）在氧化物缓冲层上生长...

本发明涉及清洗液技术领域，特别是一种适用于精密抛光晶片的有机物去除清洗液。该有机物清洗液由醚和醇两种有机溶剂组成。醚在混合液中所占重量含量为５％到９５％，醇所占重量含量为９５％到５％。其中醚由下列中选出：甲醚、乙醚、乙二醚、丙醚、丁醚、...

一种制作高频大功率硅锗异质结双极晶体管结构的方法，包括：在轻参杂硅衬底上依次生长子收集区、收集区、基区及发射区，形成制作器件的基片；采用于法刻蚀的方法，在器件基片的表面相隔预定间距刻蚀至收集区，形成子单元台面；在子单元台面上制作发射极金...

一种半导体硅衬底上氧化铝介电薄膜硅离子注入腐蚀方法，利用硅离子注入和ＨＦ化学腐蚀剂，对硅上氧化铝薄膜进行选择性腐蚀，形成陡峭、清晰、规则的氧化铝腐蚀图形，包括如下步骤：取一半导体硅单晶衬底；在半导体硅单晶衬底上外延生长氧化铝介电薄膜；在...

本发明涉及一种静态随机存储器，更具体地，一种形成于ＰＤ　　ＳＯＩ衬底上的静态随机存储器及其制作方法。该ＳＲＡＭ单元为六管存储单元，即第一、第二存取ＮＭＯＳ晶体管，第一、第二驱动ＮＭＯＳ晶体管，第一、第二负载ＰＭＯＳ晶体管。其中，存取ＮＭ...

本发明一种碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：选择一种碳化硅衬底；采用金属有机物化学气相沉积法，在衬底上生长一层高温氮化铝成核层；改变衬底温度，在高温氮化铝成核层上生长非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层；改...

一种具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底，其特征在于，包括如下几部分：一硅衬底，该硅衬底起支撑的作用；一超薄３Ｃ－ＳｉＣ中间层，该超薄３Ｃ－ＳｉＣ中间层制备在硅衬底上，起失配应变协调的作用，并与硅衬底一起构成硅基可协变衬底；一外延层，该...

一种制备氧化锌薄膜材料的方法，特别是指一种利用ＳＯＩ可协变衬底，采用磁控溅射设备制备生长氧化锌薄膜材料的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤１：选用顶部具有超薄硅单晶层的ＳＯＩ材料作为硅基可协变衬底；步骤２：将溅射靶材装入磁控溅射设备主...

一种具有金属铪薄中间层的ＳＯＩ型复合可协变层衬底，其特征在于，包括如下几部分：一常规ＳＯＩ可协变衬底，包括起支撑作用的底部Ｓｉ（１００）衬底、中间起解偶合作用的氧化硅绝缘层，顶部起失配应变协调作用的超薄Ｓｉ单晶可协变层；一具有六方结构的...

一种具有氮化铪薄中间层的ＳＯＩ型复合可协变层衬底，其特征在于，包括如下几部分：一常规ＳＯＩ可协变衬底，包括起支撑作用的底部Ｓｉ（１００）衬底、中间起解偶合作用的氧化硅绝缘层，顶部起失配应变协调作用的超薄Ｓｉ单晶可协变层；一具有立方结构的...

一种Ｍｇ－Ｓｂ共掺杂ｐ型ＺｎＯ薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤１：采用射频磁控溅射方法，所需靶材由高纯ＺｎＯ、ＭｇＯ和Ｓｂ２Ｏ３粉末混合压制而成，得到磁控溅射靶材；步骤２：将衬底加温至一恒温；步骤３：利用射频磁控溅射方法，...

一种半导体纳米结构，包括：一衬底作为半导体器件的承载体；一半导体缓冲层，通过外延生长技术形成在衬底上，起到缓冲衬底和其他层之间应力的作用；一半导体模板层，通过外延生长技术形成在半导体缓冲层上，作为支撑模板；一钝化层，通过表面钝化形成在半...

一种可以修整抛光晶片平整度的抛光头，其特征在于，包括：一晶片固定盘；一上抛光盘，该上抛光盘的断面为倒Ｔ形；一气囊，该气囊固定在上抛光盘的底面，该气囊可以充气；一抛光垫，该抛光垫固定在气囊的底面；欲将晶片抛光时，将气囊充气，将晶片固定在晶...