一种声子调控间接带隙半导体材料横向电注入发光器件，包括：一ｐ－型或ｎ－型间接带隙半导体材料衬底；一ｎ重掺杂层制作在衬底上的一侧，其是器件的源区；一ｐ重掺杂层制作在衬底上的另一侧，是器件的漏区；一负极制作在ｎ重掺杂层上；一正极制作在ｐ重掺...

一种采用极化空穴注入结构的有机发光二极管，其特征在于，包括：一衬底；一正极，该正极沉积在衬底上；一有机电子受体层，该有机电子受体层沉积在正极上，用于产生内载流子；一有机电子给体层，该有机电子给体层沉积在有机电子受体层上，用于产生内载流子...

本发明公开了一种制作纵向双栅ＭＯＳ器件的方法，该方法包括：Ａ．在ＳＯＩ衬底的顶层硅表面采用离子注入技术形成Ｎ－Ｐ－Ｎ结构，其中Ｎ区高掺杂，Ｐ区低掺杂；Ｂ．采用电子束曝光和ＩＣＰ刻蚀方法在形成的Ｎ－Ｐ－Ｎ结构的Ｎ区与Ｐ区的分界面处形成纵向...

一种ＧａＮ基功率型ＬＥＤ的Ｎ型欧姆接触电极的制备方法，包括：在ＧａＮ基功率型ＬＥＤ的材料结构上沉积一掩蔽层；腐蚀出叉指状Ｎ－ＧａＮ电极；去除光刻胶清洗；在ＧａＮ基片表面沉积一隔离层；电极剥离；腐蚀掉ＳｉＯ↓［２］掩蔽层；电子束蒸发制备Ｐ...

本发明一种检测键合质量的红外透视成像装置，其特征在于，包括如下几个部分：一灯箱，该灯箱为黑色，该灯箱前端开有一出光孔；一导轨，该导轨位于灯箱上的出光孔的前端，在该导轨上依次排列有第一凸透镜、小孔光阑、第二凸透镜、样品架及红外摄像头；一监...

一种砷化镓衬底上的多层变形缓冲层的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤１：取一砷化镓衬底；步骤２：将砷化镓衬底进行脱氧处理；步骤３：在砷化镓衬底上生长砷化镓缓冲层，以获得平整的表面；步骤４：在低温范围内生长一铟铝砷缓冲层，该铟铝砷缓...

本发明一种提高氮化镓材料载流子迁移率的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤１：取一衬底；步骤２：在衬底上生长氮化镓材料；步骤３：在生长氮化镓材料时轻掺硅杂质；由硅杂质电离出来的自由电子对位错有屏蔽作用。

一种聚光太阳电池单元，其特征在于，包括：一散热片；一管座，该管座位于散热片的上面；一太阳电池芯片，该太阳电池芯片焊接在管座的上面；一导光筒，该导光筒为一锥形筒状，其端部有一开放口，该导光筒的开放口罩扣于电池芯片的上面，该导光筒与管座连接...

本发明一种等离子去胶台可调式载片体，用于等离子去胶台中承载并固定待清洗或去胶的外延片，其特征在于，包括：一承载体，该承载体为一矩形，该承载体的上面中间两侧分别有一螺孔；两探针架，该两探针架类似于套管天线的结构，其长度可以伸缩调节，该两探...

一种异质结双极晶体管，包括：基片；基片上的第一掺杂类型的收集极区域，收集极区域包括收集区和收集极接触区；收集极区域上的第二掺杂类型的基极区域；基极区域之上的第一掺杂类型的发射极区域，发射极区域包括发射区和发射极帽层区域；以及发射极帽层区...

本发明涉及半导体材料中氧化锌外延薄膜制备技术领域，公开了一种用于氧化锌外延薄膜生长的硅基可协变衬底材料，该材料包括：一硅单晶衬底，用于支撑整个硅基可协变衬底材料；一薄金属铪可协变层，该薄金属铪可协变层制备在硅单晶衬底上，用于对在其上外延...

本发明公开了一种生长氧化锌薄膜的装置，包括：衬底基座、三路射流进气喷管、辅气吹嘴、衬底旋转机构和不锈钢外壳。兼顾了氧化锌薄膜Ｐ型掺杂适宜采用低生长温度，而结晶质量提高适宜采用高生长温度的特殊要求。将衬底基座设计成双温区，下部为恒温区，工...

本发明一种在半导体衬底上制备均匀有序量子结构的方法，其特征在于，包含下列步骤：步骤１：取一半导体衬底；步骤２：把制备好的均匀有序的阳极氧化铝通孔模板放置在半导体衬底上；步骤３：将带有阳极氧化铝模板的半导体衬底进行离子注入；步骤４：剥离模...

本发明涉及用于信息采集系统的磁传感器技术领域，公开了一种ＣＭＯＳ磁传感器，包括：一偏置电路，用于为ＭａｇＦＥＴ电流镜和差分放大器提供直流工作点；一ＭａｇＦＥＴ电流镜，用于将磁信号转换为双端电信号，并输出给差分放大器；一差分放大器，用于将...

本发明涉及半导体技术中二氧化硅薄膜生长技术领域，公开了一种生长二氧化硅薄膜的方法，包括：Ａ．配制二氧化硅饱和溶液；Ｂ．在配制的二氧化硅饱和溶液中加入去离子水或蒸馏水，搅拌得到二氧化硅的过饱和溶液；Ｃ．在二氧化硅的过饱和溶液中加入硼酸或铝...

一种在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法，包含下列步骤：步骤１．取一半导体衬底和制备好的有序的阳极氧化铝通孔模板；步骤２．把制备好的有序的阳极氧化铝通孔模板放置在半导体衬底上，阳极氧化铝通孔模板的作用是在半导体衬底上选择性注入金属离...

一种具有光伏效应和电致发光双重功能的器件，其特征在于，其中包括：一衬底；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上，可以降低衬底表面的粗糙度，并使衬底和活性层形成良好的接触；一活性层，该活性层制作在缓冲层上，可以作为光电转换层；一铝电极，该铝电极制...

一种具有光伏效应和电致发光双重功能的器件的制备方法，其特征在于，其中包括：步骤１．取一衬底；步骤２．在衬底上旋涂一层缓冲层溶液，形成缓冲层，可以降低衬底表面的粗糙度，并使衬底和活性层形成良好的接触；步骤３．在缓冲层上旋涂一层活性层溶液，...

一种氮化镓基双异质结场效应晶体管结构，其特征在于，其中包括：　　　　一衬底；　　　　一低温氮化镓或高温氮化铝层，该低温氮化镓或高温氮化铝层制作在衬底的上面；　　　　一非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层，该非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层制作在低温...

一种量子点－阱红外探测器结构，包括：一半绝缘ＧａＡｓ衬底；一ＧａＡｓ底接触层制作在半绝缘ＧａＡｓ衬底上；一下ＧａＡｓ隔离层制作在ＧａＡｓ底接触层上的一侧，在ＧａＡｓ底接触层上的另一侧形成一台面；一１０个周期的ＩｎＡｓ／ＩｎＧａＡｓ点－阱...