【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及到半导体材料
，特别是指一 种。
技术介绍
作为第三代半导体，氮化镓(GaN)及其系列材料 (包括氮化铝、铝镓氮、铟镓氮、氮化铟)以其光谱 范围宽(覆盖了从紫外到红外波段)，在光电子学领域 内有巨大的应用价值。其中，GaN紫外探测器是 一 种非 常重要的GaN基光电子器件，在导弹告警、火箭羽烟 探测、紫外通信、生化武器探测、飞行器制导、宇宙 飞船、火灾监测等民用、军用领域有着重要的应用价 值。与S i紫外探测器相比，GaN基紫外探测器由于具 有可见光盲、量子效率高、可以在高温和苛性环境下 工作等等不可比拟的优点，在实际应用中可以做到虚 警率低、灵敏度高、抗干扰能力强，极大的受到了人 们的关注。氮化镓材料质量的好坏对于器件性能的高低有着 很重要的作用。迁移率是表征氮化镓材料质量的最重 要的参数，是材料质量的综合反应。在大多数半导体 材料中，晶格振动散射和电离杂质散射是影响载流子 迁移率的重要因素，但是氮化镓材料有很大的特殊性， 氮化镓材料中的位错密度极高，在这如此高的位错密 度的情况下，位错的散射就占有重要的地位了 ，尤其 是刃位错有大量的悬挂...
【技术保护点】
一种提高氮化镓材料载流子迁移率的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤１：取一衬底；步骤２：在衬底上生长氮化镓材料；步骤３：在生长氮化镓材料时轻掺硅杂质；由硅杂质电离出来的自由电子对位错有屏蔽作用。
【技术特征摘要】
1、一种提高氮化镓材料载流子迁移率的方法，其特征在于，包括如下步骤步骤1取一衬底；步骤2在衬底上生长氮化镓材料；步骤3在生长氮化镓材料时轻掺硅杂质；由硅杂质电离出来的自由电子对位错有屏蔽作用。2 、根据权利要求1所...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵德刚，朱建军，杨辉，梁骏吾，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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