一种采用标准ＣＭＯＳ工艺制作的叉指型结构硅发光二极管，包括：一Ｐ型硅衬底；一Ｎ阱阱制作在Ｐ型衬底上的中间部位；一Ｎ＋叉指型扩散区制作在Ｎ阱内；一第一金属接触制作在该Ｎ＋叉指型扩散区上；一Ｐ＋叉指型扩散区制作在Ｎ阱内；一第二金属接触制作在...

一种采用衬底表面粗化技术的倒装结构发光二极管制作方法，包括如下步骤：在衬底上依次外延生长氮化镓Ｎ型接触层、多量子阱有源区和氮化镓Ｐ型接触层；刻蚀露出氮化镓Ｎ型接触层；制作Ｎ接触电极；制作高反射Ｐ接触电极；在芯片表面沉积介质膜；在器件的整...

一种半导体晶片精密化学机械抛光剂，其特征在于，该抛光剂按重量百分比含有以下成分：二氧化氯融合剂１％－１０％；ｐＨ调节剂３．５％－１０％；其余为水；混合、搅拌，形成半导体晶片精密化学机械抛光剂。

本发明涉及半导体材料与器件技术领域，特别是半导体ＩｎＮ薄膜材料的制备方法。在衬底上生长完ＩｎＮ薄膜之后，再在上面生长一层易于去除的、熔点和分解温度都高于ＩｎＮ材料的可在低温下生长的材料，我们称这层材料为盖层；接下来在氮气和氨气保护下对上...

一种用于键合的清洗和干燥装置，包括：一圆形底座，其下部为一圆盘，圆盘上有一凸柱，整体截面的形状为倒Ｔ形；一装样容器，包括上下两部分，下部为中空的圆柱体，其中间空出部分为圆柱形可套在底座的凸柱上；上部为方形体，其中间为带有二级台阶的中空部...

本发明一种ＬＥＤ照明的ＬＣＤ背光源结构，包括：一支架，该支架是一个底面连着散热板的顶端具开口的盒体，盒体内侧壁和内底面均为反射面；一二维排布的单色ＬＥＤ阵列，该单色ＬＥＤ阵列制作在支架上，排布在支架内底面上；一扩散板，该扩散板制作在二维...

一种多功能半导体晶片键合装置，包括键合腔室，该键合腔室中间的下部安装有一下压头；抽真空装置与键合腔室连接，控制真空泵机组对键合腔室抽真空，并且实时监测键合腔室的真空度；加热装置位于键合腔室内，对键合腔室加热到设定的温度，并且通过反馈装置...

一种采用有机电子受体层促进空穴有效注入的有机发光二极管，由以下部分组成：一衬底；一正极沉积在衬底上；一有机电子受体层沉积在正极上，用于向正极有效的传递电子；一金属薄层沉积在有机电子受体层上，用于产生电子和空穴；一有机空穴注入层沉积在金属...

一种半导体应变弛豫材料的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：（１）在硅衬底上生长应变的锗硅薄膜；（２）在衬底上制作柔性键合介质；（３）将步骤（１）的锗硅薄膜／硅衬底与步骤（２）的衬底／柔性键合介质柔性键合，锗硅薄膜与柔性键合介质相对；（...

一种二维纳米结构深刻蚀方法，其特征在于，包括如下步骤：Ｓ０１、在衬底上涂覆光刻胶，采用电子束曝光或其它曝光技术在光刻胶上制作出光子晶体纳米图形；Ｓ０２、将光子晶体纳米图形转移到衬底上；Ｓ０３、在纳米图形转移之后，将衬底表面的光刻胶去除，...

一种提高ＧａＮ基ｐｉｎ结构性能的紫外探测器，其特征在于，器件结构包括：一衬底；一成核层，该成核层制作在衬底上；一Ｎ型欧姆接触层，该Ｎ型欧姆接触层制作在成核层上；一有源层，该有源层制作在欧姆接触层上面的中间；一Ｐ型欧姆接触层，该Ｐ型欧姆接...

一种提高ＧａＮ基肖特基结构性能的紫外探测器，其特征在于，器件结构包括：一衬底；一成核层，该成核层制作在衬底上；一高浓度的Ｎ型欧姆接触层，该Ｎ型欧姆接触层制作在成核层上；一有源层，该有源层制作在Ｎ型欧姆接触层上面的中间；一肖特基接触电极，...

本发明公开了一种照明用氮化镓基发光二极管器件，该二极管器件包括：蓝宝石衬底（１）；在蓝宝石衬底（１）上依次外延生长的ｎ型ＧａＮ基化合物（４）和ｐ型ＩｎＧａＮ有源层（７）；采取干法刻蚀或湿法腐蚀的方法将ｐ型ＩｎＧａＮ有源层（７）局部去除，...

一种ＡｌＧａＩｎＰ基发光二极管，其特征在于，包括：一反射器；一ｎ型下限制层，该ｎ型下限制层制作在反射器之上，提供载流子限制作用；一有源层，该有源层生长在ｎ型下限制层之上；一ｐ型上限制层，该ｐ型上限制层制作在有源层之上，提供载流子限制作压...

一种用ＭＢＥ外延ＩｎＡｌＧａＮ单晶薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：１）选择一衬底；２）在衬底上采用分子束外延法生长一层氮化层，使得蓝宝石表面形成生长氮化物的浸润层；３）升高衬底的温度；４）在氮化层上生长一层成核层，为生长ＩｎＡｌＧ...

本发明公开了一种照明用氮化镓基发光二极管器件，该二极管器件包括：ｎ型衬底（２）；在ｎ型衬底（２）上依次外延生长的ｎ型ＧａＮ基化合物（４）和ｐ型ＩｎＧａＮ有源层（７）；在ｐ型ＩｎＧａＮ有源层（７）上制备的ｐ型透明电极（９）；和在ｎ型衬底（...

本发明公开了一种照明用氮化镓基发光二极管器件，该二极管器件包括：ｐ型衬底（３）；在ｐ型衬底（３）上依次外延生长的ｐ型ＧａＮ基化合物（５）和ｎ型ＩｎＧａＮ有源层（６）；在ｎ型ＩｎＧａＮ有源层（６）上制备的ｎ型透明电极（１２）；和在ｐ型衬底...

本发明公开了一种照明用氮化镓基发光二极管器件，该二极管器件包括：ｐ型衬底（３）；在ｐ型衬底（３）上依次外延生长的ｐ型ＧａＮ基化合物（５）、ｐ型ＩｎＧａＮ有源层（７）和ｎ型ＧａＮ基化合物（４）；在ｎ型ＧａＮ基化合物（４）上制备的ｎ型透明电...

一种宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构，包括：一衬底；一高温氮化铝成核层，该高温氮化铝成核层制作在衬底的上面；一铝（铟）镓氮超晶格缓冲层，该铝（铟）镓氮超晶格缓冲层制作在高温氮化铝成核层的上面；一非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层，该非有意...

本发明一种用于ＭＥＭＳ器件的大面积３Ｃ－ＳｉＣ薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：１）取一衬底；２）将衬底外延生长面进行原位氢气刻蚀；３）在低压化学汽相沉积炉中在该衬底刻蚀面上外延生长一炭化层，此炭化层作为衬底和３Ｃ－ＳｉＣ薄膜的...