一种双异质外延ＳＯＩ材料，是基于半导体单晶衬底上制备的双异质外延绝缘层上硅材料，其特征在于，包括：一种半导体衬底；一绝缘薄膜，该绝缘薄膜制作在半导体衬底上；一外延薄膜，该外延薄膜制作在绝缘薄膜上，形成双异质外延ＳＯＩ材料。

一种硅衬底上高介电常数氧化铝介电薄膜材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤１：选择一半导体衬底；步骤２：在半导体衬底上，预先淀积一层铝，然后原位氧气氛下氧化，形成一层氧化铝预淀积层；步骤３：采用有机化学汽相沉积方式，用高纯三甲基...

一种改善氮化镓基高电子迁移率晶体管栅极肖特基性能的结构，包括：一蓝宝石衬底或碳化硅衬底或硅衬底；一高阻氮化镓缓冲层，该高阻氮化镓缓冲层制作在衬底上；一薄层非故意掺杂铝镓氮插入层，该非故意掺杂铝镓氮插入层制作在高阻氮化镓缓冲层上；一高迁移...

一种共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管器件制作方法，在半绝缘ＧａＡｓ衬底上依次用分子束外延设备生长高电子迁移率晶体管和共振遂穿二极管结构；在外延片的表面用光刻技术和湿法腐蚀形成共振遂穿二极管的台面；用光刻技术和湿法腐蚀实现器件之间的隔离...

一种大面积制备二氧化硅或者硅纳米线的控制生长方法，包括如下步骤：步骤１：在单晶硅片衬底上用物理气相沉积法、磁控溅射法或者化学气相沉积法沉积一层非晶态薄膜；步骤２：然后在密闭石英管反应腔内充入流动的Ｎ↓［２］、Ａｒ、或者Ｎ↓［２］和Ｈ↓［...

本发明涉及半导体光存储器技术领域，特别是一种基于半导体光存储器单元的光探测器和光摄像单元。利用半导体双势垒异质结构光存储器单元来实现光探测和摄像单元器件。双势垒中间是宽量子阱；宽量子阱两端或者嵌入二个窄量子阱，或者二个量子点层，或者一个...

本发明涉及半导体芯片结深的电解水阳极氧化显结方法。该方法先用常规的磨角技术制备出带斜角剖面的待测样品，再进行芯片结深的检测；其含有：ａ）用水做电解液，对磨角后的样品进行阳极氧化；ｂ）通过剖面生成氧化膜的厚度差异，显示区分出结深来。本发明...

一种半导体薄片材料的横向研磨方法，包括一用于研磨的研磨机，该研磨机包括：一升降平台，一电机，该电机置于升降平台上，电机的轴端有一夹具，夹具的前端安装有一磨具，一磨盘置于升降平台的一侧，其特征在于，包括如下步骤：步骤１：用蜡将薄片粘贴在磨...

一种在硅衬底上生长无裂纹Ⅲ族氮化物的方法，涉及半导体技术领域，利用应力补偿缓冲层在硅衬底上生长无裂纹Ⅲ族氮化物薄膜。该方法，１）首先在单晶硅衬底上沉积２０纳米左右铝化的高温氮化铝缓冲层，然后在其上再沉积一层晶格常数远小于Ⅲ族氮化物的六方...

一种聚光太阳电池的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤１：以砷化镓或锗单晶片为衬底；步骤２：利用金属有机化合物气相沉积法、分子束外延和液相外延生长技术，生长太阳电池外延片；步骤３：在外延片上制作上电极，在衬底的下面制作下电极：步骤４...

本发明一种高能电子衍射图像处理系统，其特征在于，包括：一高能电子衍射荧光屏；一ＣＣＤ摄像头，该ＣＣＤ摄像头置于高能电子衍射荧光屏的后面，该ＣＣＤ摄像头用不锈钢圆筒固定；一图像采集卡，该图像采集卡用视频线与ＣＣＤ摄像头连接，该图像采集卡将...

一种生长氧化物薄膜的金属有机物化学气相沉积反应室结构，包括：一上罩机构为一桶状，底部开有一圆孔，侧壁上开有一侧孔；一下罩机构为一管状，该上罩机构、下罩机构固接；一辅气气嘴机构包括：一柱体，下面固接有一喇叭口；一三路喷气气嘴机构包括：一固...

一种测量光电子器件ＴＯ封装座高频参数用的测试夹具，其中包括：一背地共面波导，该背地共面波导包括：一方形填充介质，该方形填充介质为矩形；一底面电极、两侧面电极和两顶面电极，该底面电极、两侧面电极和两顶面电极是由一矩形金属材料围组而成，形成...

本发明一种利用氧化锌缓冲层生长单晶氧化锌薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：（１）取一衬底；（２）在该衬底上的硅（００１）晶面上采用磁控溅射的方法低温生长氧化锌缓冲层；（３）在氧化锌缓冲层上，采用ＭＯＣＶＤ方法低温生长氧化锌外延薄膜。

本发明涉及一种利用激光对准晶片晶向的方法及装置。本发明利用一束激光通过一小孔光阑入射到晶片的解理面上，调整晶片的方位，使得入射到该晶片解理面上的激光沿与入射方向相反的方向反射，反射激光从小孔光阑返回；按同样的方法调节好另一块晶片后，使其...

一种光放大器电吸收调制器和模斑转换器的单片集成的方法，其是利用择外延生长技术，量子阱混杂技术以及非对称双波导技术开发出一种新的半导体光放大器（ＳＯＡ）、电吸收调制器（ＥＡ）和模斑转换器（ＳＳＣ）单片集成器件（即ＳＳＣ＋ＳＯＡ＋ＥＡ＋ＳＳ...

一种全角度反射镜结构ＧａＮ基发光二极管，包括：一衬底；一全角度反射镜，该全角度反射镜生长在衬底上，其是由高折射率层和低折射率层堆叠排列成的；一ＧａＮ　　ＬＥＤ芯片，该ＧａＮ　　ＬＥＤ芯片制作在全角度反射镜上；该ＧａＮ　　ＬＥＤ芯片包括：...

一种镜像电荷效应量子元胞自动机的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在衬底上形成一个厚度可以控制的绝缘层；用晶片键合工艺将半导体层键合到带有绝缘层的衬底上；利用智能切断或研磨等工艺将半导体层减薄到１００ｎｍ以下的厚度；按量子元胞自动机器...

一种用磁控溅射法在镓砷衬底上外延生长铟砷锑薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：１）以砷化镓单晶片为衬底；２）以用铟、砷和锑单质或含有它们的化合物按原子数比Ｉｎ∶Ａｓ∶Ｓｂ＝１∶ｘ∶（１－ｘ）制成的成分均匀的铟砷锑块材料为溅射靶；３）以...

本发明涉及电子学器件技术领域，利用ＩｎＧａＡｓ作为缓冲层来增加半金属铁磁体闪锌矿结构锑化铬（ｚｂ－ＣｒＳｂ）厚度的分子束外延生长方法。包括分子束外延生长系统、源炉温度控制系统、五种元素固体源（包括Ｇａ、Ａｓ、Ｉｎ、Ｃｒ、Ｓｂ）、ＧａＡｓ...