本发明一种制备低温超薄异质外延用柔性衬底的方法，其中包括如下步骤：（１）选择一机械支撑衬底，该机械支撑衬底对于整个结构起机械支撑作用；（２）用分子束外延在机械支撑衬底上生长去耦合的中间层；（３）用分子束外延在去耦合的中间层上生长顶层结构。

本发明提出了一种氮化镓及其化合物半导体的横向外延生长方法，先在衬底蓝宝石（０００１）或硅（１１１）或碳化硅（０００１）晶面上采用金属有机物化学气相沉积或分子束外延或氢化物气相外延生长一层本征氮化硅，随后其上沉积一层氮化硅或二氧化硅或氮氧...

一种高温退火非掺杂磷化铟制备半绝缘衬底的方法，其特征在于，包括如下步骤：（１）选用非掺磷化铟材料；（２）使用纯度为光谱纯以上的铁粉和６Ｎ纯度以上的红磷，将在磷化铟材料及红磷一起放入石英管中；（３）磷化铟材料的晶片要放置在样品架上，彼此隔...

一种高频肖特基二极管的电化学制作方法，其特征在于，包括如下步骤：　　　　１）用电化学工艺在半导体表面上形成阳极氧化多孔绝缘薄膜；　　　　２）把阳极氧化多孔绝缘薄膜作为形成肖特基二极管的掩膜；　　　　３）用电化学阳极氧化腐蚀和镀金工艺首先...

一种ＣＭＯＳ结构的硅基发光器件，其特征在于，包括：　　　　一ｐ型衬底；　　　　一ｎ↑［＋］区，该ｎ↑［＋］区为圆形，制作在ｐ型衬底上；　　　　一环形ｎ↑［＋］区，该环形ｎ↑［＋］区围绕在ｎ↑［＋］区的周围，该环形ｎ↑［＋］区制作在ｐ型衬...

大规模光电集成ＲＣＥ探测器面阵器件，该面阵器件的每个器件的机构都是相同的，该面阵器件都是由两部分构成，即砷化镓基光探测器和硅基后处理电路，包括：一衬底；一布拉格反射镜，该布拉格透射镜制作在衬底上；一多量子阱光吸收区，该多量子阱光吸收区制...

本发明涉及一种半导体光电转换器件，其是将入射光与光电转换器件表面法线形成一小于９０度的夹角θ。其可提高半导体光电转换器件的光生电流和光电转换效率，其特点是倾斜半导体光电转换器件，使器件表面与入射光不垂直，而成一定的夹角。由于光线在器件中...

一种氮化镓基发光二极管Ｎ型层欧姆接触电极的制作方法，包括如下步骤：１）在蓝宝石衬底上的氮化镓基发光二极管的外延结构上用干法刻蚀或湿法腐蚀的方法在设计的管芯的Ｎ电极区域刻蚀出直径或边长小于５０μｍ的圆型或方形或任意形状的刻蚀孔，直到Ｎ型接...

本发明一种氮化镓基发光二极管管芯的制作方法，该方法适用于碳化硅衬底、硅衬底和砷化镓等导电衬底上外延的氮化镓基发光二极管结构的管芯的制作，包括如下步骤：１）在碳化硅等导电衬底上分别制作Ｎ型氮化镓层、有源区和Ｐ型氮化镓层；２）在Ｐ型ＧａＮ层...

一种提高ｎ型硅（Ｓｉ）原位掺杂浓度的方法，它是在进行Ｓｉ原位掺杂生长的过程中掺入锗（Ｇｅ）来实现。也可以说，它是生长ｎ型原位掺杂的Ｇｅ组分较低的ＳｉＧｅ材料代替ｎ型Ｓｉ材料，以达到提高载流子浓度、减小电阻等目的。

一种无破坏性检测高电子迁移率晶体管外延材料性能的方法，包括：采用相同工艺对一系列不同结构的晶体管材料进行器件制备，根据器件结果选取最优的晶体管外延材料；将所确定的外延材料在一确定温度Ｔ下做ＰＬ谱实验，找出沟道层的２ＤＥＧ的导带电子第一二...

一种多能态离子注入法制备磁性半导体材料的方法，其特征在于，包括如下步骤：　　　　首先选择半导体材料为衬底；　　　　然后在衬底上采用多能态离子注入法直接制备磁性半导体材料，形成稀磁半导体材料。

一种氢致解偶合的异质外延用柔性衬底，其特征在于，其中包括：　　　　一机械支撑衬底，对于整个结构起机械支撑作用；　　　　一层去耦合的中间层，通过氢离子或氢气注入形成，对整个结构起解偶合作用；　　　　一顶层结构，厚度低于１０００纳米，与机械...

大计量离子注入法制备磁体／半导体混杂结构的方法，其特征在于，包括如下步骤：　　　　选择半导体材料为衬底；　　　　在半导体衬底中直接进行大计量离子注入；　　　　退火，使得磁性团族均匀分布于衬底中。

一种光纤陀螺用单片集成波导型光收发芯片，其特征在于，该芯片是把超辐射发光二极管７、波导型探测器和３ｄＢ耦合器集成制作在同一ＩｎＰ基片上；其中超辐射发光二极管和波导型探测器通过３ｄＢ耦合器连接在一起并通过３ｄＢ耦合器的第三端发射和接收光。

一种与互补金属氧化物半导体工艺兼容的硅光电探测器，其特征在于，其中包括：　　　　一个ｐ↑［－］型半导体衬底；　　　　一个ｎ型阱，该ｎ型阱制作在衬底上；　　　　一个６条叉指状的Ｐ↑［＋］型扩散区，该６条叉指状的Ｐ↑［＋］型扩散区设置在ｎ型...

一种大功率氮化镓基发光二极管管芯的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：　　　　１）在蓝宝石等绝缘衬底上用金属化学气相沉积技术分别外延生长Ｎ型氮化镓层、有源区和Ｐ型氮化镓层；　　　　２）利用光刻和干法刻蚀技术将设计好的大面积管芯刻蚀分隔成...

一种倒装焊技术制作氮化镓基发光二极管管芯的方法，其特征在于，包括如下步骤：１）在蓝宝石等绝缘衬底上利用金属化学有机气相沉积方法外延生长氮化镓Ｎ型氮化镓层，发光有源区和Ｐ型氮化镓层；２）设计管芯和相应的管芯分割道的尺寸，在设计 ...

一种利用倒装焊技术制作氮化镓基发光二极管管芯的方法，其特征在于，包括如下步骤：　　　　１）在蓝宝石等绝缘衬底上利用金属化学有机气相沉积方法外延生长Ｎ型氮化镓层、发光有源区和Ｐ型氮化镓层；　　　　２）在设计好的管芯的Ｐ型氮化镓层上制备具有...

一种中浓度Ｐ型掺杂透射式砷化镓光阴极材料，其特征在于，光阴极材料的有源区分两层：内层和表面层，有源区内层为中浓度掺杂，表面层为低浓度掺杂；内层的外侧是窗口层，表面层的外侧是激活层。