本发明涉及基本电气元件中的一种半导体及其器件方法。它主要是通过减小发光二极管发光侧电极对光的吸收，利用金属气相淀积法制造的高效发光二极管，它包括有衬底、下限制层、活型区、上限制层、扩展层、欧姆接触层，其中磷化铝镓铟（ＡｌＧａＩｎＰ）混晶...

砷化镓表面清洁方法，其步骤为：１）将砷化镓材料器件置入真空室中，用抽真空设备将真空室的本底真空度抽至１０↑［－７］Ｔｏｒｒ数量级及以上；２）按一定的比率将氢气、氦气、氩气混合后通入淀积室；３）给磁场线圈通入一定的电流，在淀积室中形成８７...

一种磷化铟表面的清洁方法，包括：１、将磷化铟材料器件置入真空度为１０↑［－５］Ｐａ的真空室中；２、按一定的比率将氢气、氮气、氩气混合后通入淀积室（真空室）；３、给磁场线圈通入一定的电流，在淀积室中形成８７５Ｇｕｓｓ左右的磁场；４、将一定...

一种生长氮化镓及其化合物薄膜的方法，其是沿［０００－１］晶向外延六方相ＧａＮ及其化合物薄膜的生长，该方法使用金属有机物化学气相沉积设备，在无极性的ｃ－Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］衬底上、或在有极性的六方相晶体衬底上、或在有极性的立方相和正方相...

一种制备半导体衬底的方法，其是在一抛光的硅片内注入氢离子，在另一基片上生长二氧化硅／硅布拉格反射器或单层二氧化硅；将硅片和基片表面涂布一层硅基乳胶，将它们粘接在一起；在４００－６００℃氮气氛下退火５－６０分钟，硅片上较厚的硅层自注入氢射...

一种平面微腔增强型探测器，包括位于同一直线上大口径聚焦透镜，小口径准直透镜和微腔，所述微腔是由量子点或其他纳米颗粒吸收体作为有源层的微腔，且微腔固定在旋转轴上；其使用方法是：旋转轴以微调微腔表面法向ｎ与入射光的夹角，从而探测到不同波长的...

一种高电子迁移率晶体管，包括ＧａＡＳ衬底、和在其上依次生长的缓冲层、用ＧａＩｎＮＡｓ材料形成的电子沟道层、空间层、势垒层和帽盖层，以及形成在帽盖层上的源和漏电极，和形成在势垒层上的栅极。

一种采用ＴＥＯＳ源ＰＥＣＶＤ生长氧化硅厚膜的方法，清洗硅片表面，将硅片放入反应室；采用Ｈｅ作携带气体，用固泡法将ＴＥＯＳ和Ｈ↓［２］Ｏ携带进入反应室；通过水浴加热装置，使ＴＥＯＳ恒温在３０℃－５０℃，Ｈ↓［２］Ｏ恒温在２０℃－３０℃；对...

一种磁性半导体／半导体异质液相外延生长方法，步骤如下：以砷化镓等单晶片为衬底；用石墨或石英制成生长容器；将纯镓、纯锰和砷化镓晶体按比例放入生长容器中，在外延炉中经充分溶解、混合后，在过冷度下进行外延生长；生长溶液中ｘ和ｙ为原子比；根据需...

本发明一种高Ｐ型载流子浓度的氮化镓基化合物薄膜的生长方法，其是在氮化镓基化合物／蓝宝石的复合衬底上或在其它形式的氮化镓基化合物复合衬底上，生长高Ｐ型载流子浓度的氮化镓基化合物薄膜，其中运用多种元素共掺的方法来生长，并经退火转型使其达到高...

一种气源分子束外延生长锗硅异质结双极晶体管材料掺杂方法，其是用乙硼烷：磷烷为掺杂剂生长Ｎ－Ｐ－Ｎ双极晶体管材料时，将乙硼烷、磷烷加热使其裂解为低分子量的原子团束流，降低残余硼、磷杂质的本底浓度，并减少氢对硅生长速率的影响；掺硼结束时，速...

本发明一种半导体／磁体／半导体三层结构的制备方法，包括两个半导体材料层和两个半导体材料层中夹的一薄的磁性材料层，其特征在于，选择半导体衬垫，然后在衬垫上直接生长磁性材料；或在衬垫上先外延一层或多层缓冲层后再生长磁性材料层；最后在磁性材料...

本发明提供一种磷化铟单晶片的抛光工艺。采用的化学抛光液由强氧化剂和酸性ｐＨ值调节剂组成，其中强氧化剂为过氧化氢，其浓度为１００－１５０克／升，酸性ｐＨ值调节剂为乳酸（Ｃ↓［３］Ｈ↓［６］Ｏ↓［３］）、冰醋酸（ＣＨ↓［３］ＣＯＯＨ）或柠檬...

一种组份渐变铁磁性半导体制备方法，其特征在于，其步骤包括：步骤１：选择半导体单晶片，该半导体单晶片作为基底材料；步骤２：将所述的基底材料加热，为下一步工艺作好准备；步骤３：在基底上生长组份渐变的磁性半导体材料；步骤４：对上述磁性半导体材...

一种偏振不灵敏半导体光学放大器的制备方法，包括如下步骤：１）利用等离子体化学气相沉积技术在铟磷衬底上生长介质膜；２）利用普通的光刻腐蚀技术刻出半导体光学放大器所需的掩膜图形；３）采用窄条宽选择生长金属有机化学气相沉积技术，在光刻后的铟磷...

本发明一种键合强度可调节的柔性衬底，其中包括：一机械支撑衬底，对于整个结构起机械支撑作用；在机械支撑衬底上生长一层去耦合的中间层结构，中间层结构与机械支撑衬底之间选择性腐蚀能力较强；在去耦合的中间层上生长一顶层结构，与机械支撑衬底共同完...

本发明一种磁性ｐ－ｎ结薄膜材料，磁性ｐ－ｎ结是在半导体衬底上制备磁性半导体材料，并且使其载流子和衬底属于不同的类型；包括：一半导体衬底；在该半导体衬底上直接生长磁性半导体材料，或根据需要在衬底上先外延一层或多层缓冲层后再生长磁性半导体材...

本发明一种单电子多值存储器件，包括：具有面密度为Ｎ＃－［０］的多个超小纳米浮栅；ｎ个小控制栅极，该ｎ个小控制栅极制作在浮栅上；在浮栅下面有ＭＯＳ管的沟道和衬底；在浮栅和栅极之间有控制栅绝缘膜或控制栅绝缘膜电容Ｃ＃－［ｃｔｌ］；在浮栅和沟...

本发明一种制作白光发光二极管的方法，该方法包括如下制备步骤：（１）选择衬底材料，在该衬底上外延生长所需要的材料作为下一步的衬底；（２）对材料表面进行钝化；（３）在上述衬底上生长一层纳米尺寸的量子点作为诱导层；（４）然后再生长一层或多层异...

本发明一种基于谐振腔增强型光电探测器的解复用探测系统，该系统包括：一承载探测器的透明的载体，该载体为矩形结构；增强型半导体光电探测器阵列，该增强型半导体光电探测器阵列固定在承载探测器的透明的载体的两侧；两个光纤准直器，该光纤准直器安装在...