一种利用准分子激光退火制作ＳｉＧｅ或Ｇｅ量子点的方法，其特征在于，量子点制作步骤如下：步骤１：取一衬底；步骤２：在衬底上生长ＳｉＧｅ或者Ｇｅ的外延层；步骤３：用激光对外延层进行退火处理，在外延层上得到ＳｉＧｅ或Ｇｅ量子点。

一种在金属衬底上生长ＺｎＯ薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤１：取一金属衬底；步骤２：对金属衬底进行抛光，以获得较光滑的表面；步骤３：将抛光后的金属衬底表面清洗干净；步骤４：将清洗干净的金属衬底放入生长设备中，在金属衬底上生长缓...

一种在Ｓｉ衬底上生长ＺｎＯ薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤１：利用化学清洗方法将Ｓｉ衬底表面清洗干净，并利用氢氟酸刻蚀法去除其表面的氧化层；步骤２：将处理干净的Ｓｉ衬底放入沉积设备中，蒸发一层金属缓冲层；步骤３：将覆盖金属缓冲...

本发明涉及光电转换器技术领域，公开了一种Ｇｅ／Ｓｉ混合集成的波导型光电转换器，Ｇｅ／Ｓｉ混合集成的波导型光电转换器由一Ｓｉ基ＳＯＩ波导（３）和一Ｇｅ基横向ｐ－ｉ－ｎ结构倒装焊接而成，其中Ｇｅ横向ｐ－ｉ－ｎ结构是由波导本征区（４），和波导...

本发明涉及光电转换器技术领域，公开了一种与互补式金属－氧化层－半导体（ＣＭＯＳ）工艺兼容的１．５５波段全硅波导型光电转换器件，其中光吸收是通过Ｓｉ离子注入Ｓｉ后形成络合物深能级缺陷来进行的，从而突破Ｓｉ光电子器件所受１．１２ｅＶ禁带宽度...

一种氮化镓基高电子迁移率晶体管结构，包括：一衬底；一低温成核层制作在衬底的上面；一氮化镓高阻层制作在低温成核层的上面；一铟镓氮插入层制作在氮化镓高阻层的上面；一低温氮化镓隔离层制作在铟镓氮插入层的上面；一高迁移率氮化镓层制作在低温氮化镓...

一种有机－无机复合发光二极管，包括：一带有透明阳极的衬底；一空穴注入层，该空穴注入层沉积在带有透明阳极的衬底上；一有机空穴传输层，该有机空穴传输层沉积在空穴注入层上；一有机发光层，该有机发光层沉积在有机空穴传输层上；一有机电子传输层，该...

本发明是一种在图形衬底上生长碳化硅（ＳｉＣ）厚膜的方法。该方法通过采用光刻技术在硅衬底上获得图形，掩模版图形为平行长条状或正方形台面或它们的组合图形；然后在该图形化的硅衬底上采用化学气相沉积方法生长碳化硅厚膜。该发明生长的碳化硅膜在垂直...

本发明是一种立方氮化硼（ｃ－ＢＮ）薄膜ｎ型掺杂的方法，该方法具体包括首先利用离子束辅助沉积（Ｉｏｎ　Ｂｅａｍ　Ａｓｓｉｓｔｅｄ　Ｄｅｐｏｓｔｉｏｎ，ＩＢＡＤ）方法制备高质量的ｃ－ＢＮ薄膜，然后依次注入不同能量（５０，８０及１００ｋｅＶ）...

本发明一种改进的形成于部分耗尽ＳＯＩ衬底上的静态随机存储器的存储单元，涉及静态随机存储器技术，该ＳＲＡＭ单元包含六只晶体管，即第一、第二存取ＮＭＯＳ晶体管，第一、第二驱动ＮＭＯＳ晶体管，第一、第二负载ＰＭＯＳ晶体管。在进行体区接触处理时...

本发明一种增强氧化锌（ＺｎＯ）薄膜蓝光发射的方法，涉及半导体技术，该方法制备ＺｎＯ／Ａｇ复合结构薄膜，利用Ａｇ表面等离激元与ＺｎＯ带间发射间的共振耦合，使ＺｎＯ带间辐射复合速率加快；同时借助具有一定粗糙度的Ａｇ薄膜表面将等离激元耦合成光...

本发明是一种采用活泼金属掺杂有机空穴注入材料作为电子注入层的有机发光二极管。本发明所涉及的有机发光二极管结构为一个透明阳极、一个有机空穴注入层、一个有机空穴传输层、一个有机发光层、一个有机电子注入层以及一个阴极１０６组成。本发明所涉及的...

本发明是一种氮化物薄膜外延生长的方法，其包含下列步骤：首先直接升高衬底的温度到氮化物薄膜的生长温度；接着在生长初期，通过生长设备的计算机程序控制氨气（ＮＨ↓［３］）和Ⅲ族源材料的输入开关，使氨气（ＮＨ↓［３］）和Ⅲ族源材料交替脉冲地输入...

为使ＧａＳｂ基ＩｎＡｓ↓［ｘ］Ｓｂ↓［１－ｘ］材料实际应用到长波长红外探测器中，本发明提供一种在ＧａＳｂ衬底上生长ＩｎＡｓ↓［ｘ］Ｓｂ↓［１－ｘ］薄膜的液相外延生长工艺，其主要特征为用原子数比Ｉｎ∶Ｓｂ∶Ａｓ＝１∶ｙ∶（１－ｙ）的源熔体...

本发明是一种近红外单光子探测器。所述探测器包括：衬底，缓冲层，Ｎ型欧姆接触层，超晶格倍增层，电场控制层，带隙渐变层和光吸收层。通过引入超晶格结构，以及吸收层渐变结构达到提高探测器的性能，特别在探测器的探测频率、噪声影响都有极大的改善，能...

本发明提出一种采用ＣＭＯＳ集成电路工艺制作的差分硅光电探测器，包括：一个衬底（１６）；第一、二、三、四、五、六个阱（１０），所述阱等间距地制作在所述衬底上；第一、二、三、四、五、六个扩散区（１１），所述六个扩散区分别制作在所述六个阱的正...

本实用新型公开了一种集成硅光电池的光传感器芯片结构，它的每一单元Ｐ－ｎ结硅光电池均设置在一个无绝缘层复盖的沟槽网格内。采用这样的结构能够显著提高产品的性能与合格率。

本发明是一种基于多晶镓砷薄膜的有机无机复合太阳能电池。包括：一沉积在玻璃衬底上的透明阳极（１０１）；一沉积在阳极上的多晶镓砷薄膜（１０２）；一沉积在多晶镓砷薄膜层上的有机电子受体层（１０３）；一沉积在有机电子受体层上的电子阻挡层（１０４...

本发明是一种高性能氮化物材料的低成本外延方法。包括：采用图形衬底或者应力释放层作为衬底；采用金属有机物化学气相沉积（ＭＯＣＶＤ）模式生长成核层；采用氢化物气相外延（ＨＶＰＥ）模式生长铝镓铟氮（ＡｌＧａＩｎ）Ｎ缓冲层；采用金属有机物化学气...

本发明公开了一种基于标准ＣＭＯＳ工艺的积分电容及其制作方法，该积分电容包括：一Ｐ型硅衬底（１）；一位于该Ｐ型硅衬底（１）上的下电极板（２）；一位于该下电极板（２）上的栅氧化层（３）；两个位于该下电极板（２）上且在该栅氧化层（３）两侧的Ｎ...