本发明一种消除分布模式耦合的环形微腔波导滤波器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：（１）在衬底上依次生长下波导包层、波导层和上波导包层；（２）在清洗干净的上波导包层表面涂上光刻胶；（３）通过普通光刻或电子束曝光和显影技术将所需的图形转...

本实用新型公开了一种紫外增强的ｐ－ｎ结硅光生伏特探测器的结构。它在探测器探光面的金属电极之间或（和）其四周的硅表面上布设一层多孔硅的荧光膜。该结构具有工艺过程简单易控、成本低廉、并能与现有集成电路工艺相容等诸多优点。

本发明涉及一种包含量子点的光探测场效应晶体管及制备方法，其特点在于：１．不同于其他光－电集成器件的横向耦合结构，本器件的结构，是将化合物半导体光探测器和金属－半导体场效应晶体管纵向集成生长在同一衬底材料上。２．在器件制备过程中，将栅极下...

本发明提出了一种新型的氮化镓基ＭＳＭ结构紫外探测器，在本发明提出的新型氮化镓基ＭＳＭ结构紫外探测器中，在普通的氮化镓基ＭＳＭ探测器材料结构Ｎ↑［－］－Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］Ｎ（０≤ｘ＜１）上，外延生长一层薄的Ａｌ↓［ｙ］Ｇａ↓［１...

一种宽光谱砷化铟／砷化铟镓／砷化镓量子点材料生长方法，包括如下步骤：在衬底上制备砷化镓缓冲层，该缓冲层是下述有源区的下势垒层；在砷化镓缓冲层上制备有源区，该有源区是该砷化铟／砷化铟镓／砷化镓量子点材料的核心部分，为该材料的光谱发射区；在...

一种利用倒装技术制作功率型微结构发光二极管管芯的方法，包括如下步骤：１）在蓝宝石衬底上生长外延层结构；２）在外延层结构上刻蚀形成圆台；３）制作ｎ型网状欧姆接触电极和电极焊点；４）在整个器件结构的上表面淀积二氧化硅或氮化硅绝缘层；５）将圆...

一种石墨清洗装置，包括：一外壳，该外壳为一中空长方体结构；一石墨基座支架位于外壳内的下部；一石墨加热器为一箱体结构，该石墨加热器位于石墨基座支架的上方；一保温材料围绕在石墨加热器的四周；一上盖位于外壳的上方；一感应圈螺旋缠绕在外壳的外围...

一种采用干法刻蚀技术实现ＲＴＤ与ＨＥＭＴ单片集成的方法，包括如：在衬底上依次生长典型的ＨＥＭＴ材料结构和ＲＴＤ材料结构；光刻出ＲＴＤ发射区的图形制备ＡｕＧｅＮｉ金属层，形成ＲＴＤ金属发射极；光刻，形成有源区；光刻出ＨＥＭＴ的源漏电极；高...

本发明一种用于制备有机／无机薄膜的有机分子束沉积设备，其特征在于，沉积设备包括：一有机材料生长室，该生长室位于设备的一侧；一无机材料生长室，该生长室一端与有机材料生长室相连；一进样室，该进样室位于无机材料生长室的另一端；一真空系统，该真...

本实用新型公开了一种半导体器件与集成电路的基座，在基座的中央设有其端点与内引线相连的加热器，它能适应须置于高温下工作的半导体器件与集成电路的要求，并有降低功耗、缩小体积以及保持温度均匀等优点。

本实用新型公开了一种在上管壁周边设有水幕围栏的半导体气相外延反应管。在围栏的一侧端有出水口，出水口下方设有集水器。在进行外延反应的同时可在围栏内一端注入高纯水，另一端出水，使上管壁冷却，以此减少壁面沉淀，提高外延层质量。

本发明一种氮化镓基异质结场效应晶体管结构，其中包括：一衬底；一低温氮化镓成核层，该低温氮化镓成核层制作在衬底的上面；一非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层，该非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层制作在低温氮化镓成核层的上面；一非有意掺杂高迁移率氮化镓层...

一种硅基高效等电子掺杂发光器件，其中包括：一ｎ－型或ｐ－型硅基衬底；一硅基掺杂层，该硅基掺杂层制作在ｎ－型或ｐ－型硅基衬底上面，该硅基掺杂层是发光器件的有源区；一ｐ－型或ｎ－型重掺硅层，该ｐ－型或ｎ－型重掺硅层制作在硅基掺杂层上面；一ｎ...

一种采用微量金属掺杂有机受体薄膜的有机发光二极管，包括：一衬底；一个正极，该正极沉积在衬底上，用于注入空穴；一有机空穴注入层，该有机空穴注入层沉积在正极上，用于接受从正极注入的空穴；一有机空穴传输层，该有机空穴传输层沉积在有机空穴注入层...

本发明公开了一种具有侧栅结构的硅基单电子记忆存储器，包括在ＳＯＩ衬底的顶层硅上，制备了一个用于存储电荷的硅纳米晶库仑岛，以及一个用于探测存储电荷的硅量子线电导。硅纳米晶库仑岛与硅量子线电导相邻，共同由覆盖在表面的浮栅控制电流。硅量子线电...

一种Ｐ型氮化镓电极的制备方法，包括如下步骤：在蓝宝石衬底上外延Ｍｇ掺杂Ｐ型氮化镓基体；在Ｍｇ掺杂Ｐ－ＧａＮ基体上电子束蒸发半透明电极欧姆接触层Ｒｕ／Ｎｉ；在半透明电极欧姆接触层Ｒｕ／Ｎｉ上电子束蒸发一层粘附层Ｎｉ；在粘附层Ｎｉ上电子束蒸...

一种铟镓砷／铟铝砷耦合量子点红外探测器，包括：一ＧａＡｓ衬底；一ｎ＋ＧａＡｓ下接触层生长在ＧａＡｓ衬底上，该ｎ＋ＧａＡｓ下接触层中重掺杂施主Ｓｉ原子；一多周期光电流产生区生长在ｎ＋ＧａＡｓ下接触层上，其作用是吸收红外辐射并产生光电子；一...

本发明公开了一种在砷化镓衬底上外延生长ＧａＳｂ的方法，该方法采用三缓冲层生长工艺，具体包括：Ａ）５８０℃条件下在ＧａＡｓ衬底上生长ＧａＡｓ缓冲层；Ｂ）５５０℃条件下在生长的ＧａＡｓ缓冲层上生长ＡｌＳｂ缓冲层；Ｃ）４５０℃条件下ＡｌＳｂ缓...

一种单结铟镓氮太阳能电池结构，其特征在于，其中包括：一衬底；一低温氮化镓成核层，该低温氮化镓成核层制作在衬底的上面，该成核层可增加衬底表面的成核密度；一非有意掺杂氮化镓缓冲层，该非有意掺杂氮化镓缓冲层制作在低温氮化镓成核层的上面，该缓冲...

一种利用ＵＨＶ／ＣＶＤ在衬底上低温生长ＳｉＧｅ材料的方法，其特征在于，生长材料的步骤如下：步骤１：取一衬底，清洗；步骤２：将清洗过的衬底高温除气；步骤３：将衬底传入生长室；步骤４：将衬底加热脱氧；步骤５：将衬底降温；步骤６：向生长室通入...