【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种半导体气相外延反应管，特别涉及一种能使上管壁水冷的气相外延反应管。现有半导体气相外延反应管按照管壁的冷却方式可分为两类一类用空气自然冷却或强迫风冷；另一类由双层石英管壁水冷。前者的优点为结构简单，高频耦合良好，能量损耗小，较易得到均匀热场，目前使用广泛。缺点是反应区外的空间温度高，管壁上易沉淀，一些容易气相成核的反应气体如硅烷和金属有机化合物生长用的气体，容易气相反应成核，使外延层中缺陷增多，质量下降。后者所用双层管壁水冷石英管具有减少气相反应和减少管壁沉淀的优点，但结构复杂，高频耦合差，能量损失大，特别是不易得到均匀热场，所以很难推广使用。为了克服现有技术的上述缺陷，本技术在外延反应管上壁的周边设置一圈水幕围栏，在围栏的一侧端开有出水口，出水口下方设有集水器，并在围栏内的另一端壁面上方设置一个与纯水槽连通且带开关的注水管。当把外延反应管平放在高频线圈内通过感应加热进行气相外延时，打开注水管的开关使水槽中的高纯水徐徐流入反应管围栏内的壁面上，形成一层冷却水幕，经出水口流入集水器。由于高纯水的阻抗高，因而不会使高频线圈短路；水幕薄，高频耦合良好；水幕使石英反应管的上表面冷却，有效阻止了管壁上的沉淀，阻止了气相成核，从而提高了外延层的完整性；但加热基座处并未冷却，因而能够同时保持加热托的温度均匀性，减少热应力，提高外延层的完整性和均匀性。又由于管壁温度降低，杂质返回少，能够提高外延层纯度。附图为本技术一项实施例即半导体硅气相外延反应管的示意图。它用一圈石英条框焊接在外延反应管上壁的边缘形成水幕围栏(7)。为使冷却水循环使用，还可在集水器(9...
【技术保护点】
一种半导体气相外延反应管，其特征为，在外延反应管上壁的周边设置一圈水幕围栏，在围栏的一侧端有出水口，出水口下方设有集水器，并在另一端围栏内的壁面上方设一与纯水槽连通且带开关的注水管。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：梁骏吾，邓礼生，杨辉，郑红军，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：实用新型
国别省市：11[中国|北京]
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