用于生产烷基铟化合物的方法及其用途技术

本发明专利技术涉及一种用于以高产率并且以高选择性和纯度廉价并且对环境负责地制备二烷基铟氯化物的方法。根据本发明专利技术制备的二烷基铟氯化物也因为其高纯度和产率而特别适合于根据需要，以高产率和选择性并且以高纯度来制备含铟前体。可获得的这些含铟前体因为其高纯度而特别适合于金属-有机化学气相沉积法(MOCVD)或金属-有机气相外延法(MOVPE)。根据本发明专利技术的新颖方法由于改善的工艺方案，尤其是一种快速的工艺操作而引起关注。通过对环境引起较低水平损害的廉价起始物质的控制性并且相当多的使用，该方法也适合于工业规模。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利说明】用于生产烷基铟化合物的方法及其用途 本专利技术提供了一种用于以高产率并且以高选择性和纯度制备由通式R2InCl表征 的二烷基铟氯化物（以下又称为化合物(A))的方法。 根据本专利技术制备的二烷基铟氯化物也因其高纯度和产率而特别适合于根据需要 制备含铟前体，优选地具有通式R3In(以下又称为化合物(B) )SR2InR'（以下又称为化合物 (C))的那些。由化合物(A)以高产率并且以高纯度可获得的这些含铟前体因为其高纯度而 特别适合于金属-有机化学气相沉积法(MOCVD)或金属-有机化学气相外延法(MOVPE)。 在术语"方法"是根据本专利技术使用的情况下，这始终意谓用于制备该化合物(A)的 方法和随后用于制备含铟前体，优选地化合物(B)或(C)的可任选的方法。 现有技术 现有技术描述了用于制备典型地被用作MOCVD方法的有机金属前体(即，其起始物 质，以下简称为"前体起始物质"）的多种化合物的不同方法。 在本专利技术的上下文中，"前体起始物质"是可以经由另外的反应步骤转化成实际有 机金属前体，这些前体然后可以直接地用于MOCVD或MOVPE方法中的那些（简称为"前体"或 "本文档来自技高网...

【技术保护点】
用于制备具有以下通式的化合物(A)的方法：R2InCl包括以下反应步骤a1)使一种铟供体与一种烷基供体反应以形成该化合物(A)，该烷基供体为烷基铝倍半氯化物(R3Al2Cl3)，并且该铟供体为三氯化铟(InCl3)，a2)并且任选地从该反应混合物中分离出化合物(A)；其中R为一个具有1到4个碳原子的烷基，并且其中R为分支或未分支的。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·桑德梅尔，A·福雷，W·绍恩，D·格罗塞哈根布鲁克，R·卡驰，A·里瓦斯纳斯，E·沃恩内尔，A·多皮优，
申请(专利权)人：优美科股份公司及两合公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE