【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及有机金属化学气相沉积(MOCVD)中原料三甲基铟的生产方法，尤 其涉及，属于三甲基铟制备
技术介绍
高纯三甲基铟等金属有机化合物，是金属有机化学气相沉积技术(MOCVD)、 化学束外延(CBE)过程中生长光电子材料的重要原料，广泛应用于生长磷化铟、铟镓砷 氮(InGaAsN)、铟镓砷(InGaAs)、铟镓磷(InGaP)等化合物半导体薄膜材料。纯净的三 甲基铟在室温下为固体，当用于MOCVD时需要将该固体源封装在钢瓶内，然后控制钢 瓶温度，使其蒸气压达到一定值，再通过持续流动的载气，将在使用温度下气-固平衡 状态气相中的三甲基铟带入MOCVD或CBE生长系统。三甲基铟的制备一般多采用三甲基铝与三氯化铟进行烷基交换反应，但存在以 下缺点1)反应转化效率不高，有大量副产物产生；2)原材料成本高，工业化三甲基 铝虽然便宜，但三氯化铟比较昂贵，尤其工业化生产，成本极高；3)原料易燃，存在安 全隐患，三甲基铝非常活泼，易燃，整个反应必须在惰性气体保护下进行，存在安全隐患、O
技术实现思路
本专利技术的目的是克服现有技术存在的不足，提供一种。本专利技术的...
【技术保护点】
工业化制备三甲基铟的方法，其特征在于：在充满惰性气体的反应釜中，投入铟镁合金原料，在乙醚、四氢呋喃或甲基四氢呋喃存在下，于搅拌条件下逐步加入卤代烷，卤代烷为ＣＨ↓［３］Ｂｒ或ＣＨ↓［３］Ｉ，通过控制卤代烷的加入速度控制溶剂回流速度，反应完成后，将溶剂蒸出，再在减压条件下得到三甲基铟与醚的配合物，最后解配得到三甲基铟。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：孙祥祯，陈化冰，潘毅，朱春生，张进琪，吉敏坤，张溧，
申请(专利权)人：江苏南大光电材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]
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