一种基于GaSb的GaxIn1‑xSb/GaSb串联结构热光伏电池及其制备方法技术

一种基于GaSb的GaxIn1‑xSb/GaSb串联结构的热光伏电池及其制备方法，属于热光伏电池技术领域。结构从上到下依次为：上电极、重掺杂的p+型ZnS窗口层、p型GaSb有源区、n型GaSb、重掺杂的n+型GaSb隧穿层、重掺杂的p+型GaSb隧穿层、p型Gax1In1‑x1Sb有源区、n型Gax2In1‑x2Sb有源区、重掺杂的n+型GaSb背面电场层、n型GaSb衬底和背电极。本发明专利技术利用低压金属有机物化学气相外延(LP‑MOCVD)技术，在n型GaSb衬底上制备结构为n型GaSb衬底/n

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于热光伏电池
，具体涉及一种基于GaSb的GaxlnixSb/GaSb串联 结构的热光伏电池及其制备方法。
技术介绍
热光伏技术是将高温热辐射能转化为电能的新一代光伏技术。其原理是利用半导 体p-n结的光伏效应将高温辐射体发出的光子直接转化为电能。其具有高电功率输出密 度，通过控制光谱实现高光电转换效率，系统结构简单可靠性高，便于携带工作无噪音等优 点。热光伏系统可广泛应用于工业生产的废热，电器工作的余热，化石燃料燃烧，核热能等 领域，在当今提倡环保绿色，节能减排的社会发展趋势下，具有非常巨大的发展潜力和广阔 的产业前景。20世纪60年代，热光伏技术的原理及概念被提出，但受限于当时的科技水平， 只能处于理论研究阶段。直到90年代，GaSb热光伏电池研制才被成功。随后一系列窄禁带 材料热光伏电池相继报道，至此热光伏电池及系统日益受到各国重视。考虑到材料性能及 安全考虑，目前采用的热辐射源一般低于1500°C，对应的半导体材料禁带宽度小于0. 7eV。 从热光伏系统的稳定性及安全性的考虑，热辐射源的温度越低应用领域越广泛，当然对应 的最佳半导体禁带宽度也越本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于GaSb的GaxIn1‑xSb/GaSb串联结构热光伏电池，其特征在于：结构从上到下依次为上电极、重掺杂的p+型ZnS窗口层、p型GaSb有源区、n型GaSb衬底、重掺杂的n+型GaSb隧穿层、重掺杂的p+型GaSb隧穿层、p型Gax1In1‑x1Sb有源区、n型Gax2In1‑x2Sb有源区、重掺杂的n+型GaSb背面电场层、n型GaSb衬底和背电极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张宝林，吕游，李国兴，徐佳新，徐德前，
申请(专利权)人：吉林大学，
类型：发明
国别省市：吉林;22