采用TEOS源PECVD生长氧化硅厚膜的方法技术

一种采用ＴＥＯＳ源ＰＥＣＶＤ生长氧化硅厚膜的方法，清洗硅片表面，将硅片放入反应室；采用Ｈｅ作携带气体，用固泡法将ＴＥＯＳ和Ｈ↓［２］Ｏ携带进入反应室；通过水浴加热装置，使ＴＥＯＳ恒温在３０℃－５０℃，Ｈ↓［２］Ｏ恒温在２０℃－３０℃；对氧化硅进行高温退火。采用ＴＥＯＳ源ＣＶＤ技术生长ＳｉＯ↓［２］，其膜厚度均匀（±１．５％，２英寸衬底）；折射率可控制在１．４５３±０．００１内，折射率稳定，且退火后不会改变；与高温退火技术相结合，可进行厚膜生长。整个生长工艺与硅工艺兼容。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体材料，特别是生长氧化硅厚膜的方法。波分复用技术(WDM)是解决宽带、大容量光纤网络通信的一种有效方法。复用/解复用器是构成WDM系统的关键器件。现在实用的复用器件已经开发研制出来，它们包括干涉过滤器，光纤光栅和平面光波回路器件等。然而在通道数不断增加的情况下，干涉过滤器，光纤光栅等器件变得异常复杂，且损耗随通道数增大而迅速增加，出现通道损耗的严重不均衡。基于阵列波导光栅(AWG)的平面波导复用/解复用器，此时最具有吸引力。通过设计可以得到大通道数、通带响应平坦、通道间隔可以相同或不同、带宽可以改变等优秀性能。AWG器件已经成功地应用到WDM系统中，并已商品化，见Electron.Lett.，Vol.32，pp.1474-14761996。基于氧化硅的AWG器件大多采用与光纤匹配的波导结构，这样器件的传输损耗很低且其光纤耦合效率高。目前性能最好的AWG器件在氧化硅/硅上获得(已报道128路)，插入损耗只有3-5dB，氧化硅器件的串扰优于-30dB。氧化硅波导器件应用于光通讯领域中，要求氧化硅平面波导模式与光纤相匹配。目前采用的单模光纤芯区尺寸约为6微米，制备氧本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种采用ＴＥＯＳ源ＰＥＣＶＤ生长氧化硅厚膜的方法，包括步骤：（１） 清洗硅片表面，将硅片放入反应室；（２） 通过水浴加热装置，使ＴＥＯＳ恒温在３０℃－５０℃，Ｈ２Ｏ恒温在２０℃－３０℃；（３） 采用Ｈｅ作携带气体，用固泡法将ＴＥ ＯＳ和Ｈ↓［２］Ｏ携带进入反应室，在等离子体的作用下，水解缩合成氧化硅薄膜；（４） 对氧化硅进行高温退火。

【技术特征摘要】
1.一种采用TEOS源PECVD生长氧化硅厚膜的方法，包括步骤(1)清洗硅片表面，将硅片放入反应室；(2)通过水浴加热装置，使TEOS恒温在30℃-50℃，H2O恒温在20℃-30℃；(3)采用He作携带气体，用固泡法将TEOS和H2O携带进入反应室，在等离子体的作用下，水解缩合成氧化硅薄膜；(4)对氧化硅进行高温退火。2.按权利要求1所述的方法，其特征在于反应...

【专利技术属性】
技术研发人员：雷红兵，王红杰，胡雄伟，邓晓清，王启明，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]