大规模光电集成RCE探测器面阵器件制造技术

大规模光电集成ＲＣＥ探测器面阵器件，该面阵器件的每个器件的机构都是相同的，该面阵器件都是由两部分构成，即砷化镓基光探测器和硅基后处理电路，包括：一衬底；一布拉格反射镜，该布拉格透射镜制作在衬底上；一多量子阱光吸收区，该多量子阱光吸收区制作在布拉格反射镜上；一高反布拉格反射镜，该高反布拉格反射镜制作在多量子阱光吸收区上；正电极制作在布拉格透射镜上，该正电极是在多量子阱光吸收区的一侧；负电极制作在高反布拉格反射镜上；在正电极上制作有一铟柱，在铟柱上制作一正电极；在负电极上制作有一铟柱，在铟柱上制作一负电极；一硅基后处理电路芯片焊接在正电极和负电极上。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件，特别涉及一种利用倒装焊技术组装的大规模光电集成谐振腔增强型(简称RCE)探测器面阵器件。
技术介绍
光电集成将电子电路极强的信息处理及存储能力与光的超高速信息传输能力有机结合，在光电集成器件内部实现电处理、光互连。是实现高速大容量信息通讯的关键技术之一，可广泛应用于光信息处理和光交换。倒装焊形成的光电集成面阵器件除具备上述特点以外，还具有器件寄生参数小、响应速度快、结构紧凑、具备并行处理功能等优点，是并行光互连和智能像素的基础。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种大规模光电集成RCE探测器面阵器件，其具有较高光电转换效率和较强的处理能力的并行光接收面阵器件，这种光电集成面阵器件既可以作为并行光传输中的光接收模块，又可以作为红外成像技术中的智能像素模块。本专利技术一种大规模光电集成RCE探测器面阵器件，该面阵器件的每个器件的机构都是相同的，该面阵器件都是由两部分构成，即GaAs基光探测器和硅基后处理电路，其特征在于，其中包括一衬底；一布拉格反射镜，该布拉格透射镜制作在衬底上；一多量子阱光吸收区，该多量子阱光吸收区制作在布拉格反射镜上，该多量子阱光吸收区的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种大规模光电集成ＲＣＥ探测器面阵器件，该面阵器件的每个器件的机构都是相同的，该面阵器件都是由两部分构成，即砷化镓基光探测器和硅基后处理电路，其特征在于，其中包括：一衬底；一布拉格反射镜，该布拉格透射镜制作在衬底上；一多量子阱光吸收区，该多量子阱光吸收区制作在布拉格反射镜上，该多量子阱光吸收区的面积小于布拉格反射镜的面积；　一高反布拉格反射镜，该高反布拉格反射镜制作在多量子阱光吸收区上，该高反布拉格反射镜的面积与多量子阱光吸收区的面积相同；正电极制作在布拉格透射镜上，该正电极是在多量子阱光吸收区的一侧；负电极制作在高反布拉格反射镜上；在正电极上制作有一铟柱，在铟柱上制作一正电极；在负电极上制作...

【技术特征摘要】
1.一种大规模光电集成RCE探测器面阵器件，该面阵器件的每个器件的机构都是相同的，该面阵器件都是由两部分构成，即砷化镓基光探测器和硅基后处理电路，其特征在于，其中包括一衬底；一布拉格反射镜，该布拉格透射镜制作在衬底上；一多量子阱光吸收区，该多量子阱光吸收区制作在布拉格反射镜上，该多量子阱光吸收区的面积小于布拉格反射镜的面积；一高反布拉格反射镜，该高反布拉格反射镜制作在多量子阱光吸收区上，该高反布拉格反射镜的面积与多量子阱光吸收区的面积相同；正电极制作在布拉格透射镜上，该正电极是在多量子阱光吸收区的一侧；负电极制作在高反布拉格反射镜上；在正电极上制作有一铟柱，在铟柱上制作一正电极；在负电极上制作有一铟柱，在铟柱上制作一负电极；一硅基后处理电路芯片焊接在正电极和负电极上。2.根据权利要求1所述的大规模光电集成...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈弘达，裴为华，毛陆虹，吴荣汉，杜云，唐君，邓晖，梁琨，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]