【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体发光器件，特别涉及硅基发光器件(LED-lightemitting device)。其结构是采用CMOS(complementary metal oxidesemiconductor)工艺在p衬底上形成n+p结二极管，该发光器件工作在二极管的反向击穿模式下。
技术介绍
随着芯片处理速度的飞速发展，电互连由于其自身固有的物理局限性，在高速数据传输时必将被光互连所取代，实现光互连的物理基础之一就是需要具有能与现有大规模集成电路(IC-integrated circuit)低成本集成的光源。III-V族化合物光源的研究已经比较成熟，但现有的IC以成熟的硅材料为基础，二者材料和工艺不兼容，很难实现低成本、大规模的单片集成。国际上已有利用标准CMOS工艺流片硅基LED的报道(见文献[1]L.W.Snyman，M.du Plessis，E.Seevinck.An efficient low voltage，highfrequency silicon CMOS light emitting device and electro-optical inter...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种CMOS结构的硅基发光器件，其特征在于，包括一p型衬底；一n+区，该n+区为圆形，制作在p型衬底上；一环形n+区，该环形n+区围绕在n+区的周围，该环形n+区制作在p型衬底上，在n+区和p型衬底的界面上形成pn结的耗尽区；一环形p+区，该环形p+区围绕在环形n+区的周围，该环形p+区制作在p型衬...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈弘达，孙增辉，毛陆虹，唐君，高鹏，崔增文，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：
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