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一种ＣＭＯＳ结构的硅基发光器件，其特征在于，包括：　　　　一ｐ型衬底；　　　　一ｎ↑［＋］区，该ｎ↑［＋］区为圆形，制作在ｐ型衬底上；　　　　一环形ｎ↑［＋］区，该环形ｎ↑［＋］区围绕在ｎ↑［＋］区的周围，该环形ｎ↑［＋］区制作在ｐ型衬底上...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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