一种具有光致发光特性的硅基量子点纳米材料的制备方法技术

本发明专利技术属于光致发光半导体纳米材料制备领域，尤其涉及一种具有光致发光特性的硅基量子点纳米材料的制备方法。本发明专利技术利用强流脉冲电子束制备硅基纳米量子点纳米材料，随后对不同参数下硅纳米量子点纳米材料进行光致发光特性PL测定，实验发现，经过HCPEB辐照制备出硅基纳米量子点纳米材料，并且所述纳米材料能够发出强度较高的蓝光。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光致发光半导体纳米材料制备领域，尤其涉及。
技术介绍
半导体材料硅不仅电学性质良好，许多光电性质也比较优越，但硅是间接带隙材料，载流子的复合过程需要声子参与，发光效率很低，长期被判定为非发光材料；90年代初期以来，以SiGe/S1、Si/SiOx、Si/SiNx应变层超晶格和量子点阱以及多孔硅为主的硅基低维发光材料的研究引起了人们的浓厚兴趣，尤其是硅基光电子/微电子学的研究引起了人们对硅基功能化的纳米材料的兴趣。硅量子点由于尺寸和激子波尔半径相当，这种尺寸限域特性将引起量子尺寸效应、库伦阻塞效应、量子限制效应、宏观量子隧道效应、表面效应和多激子产生效应等，从而展现出许多不同于宏观体材料的物理化学性质，由此促使硅量子点在光电半导体器件(红外探测器、LED、激光器以及太阳能电池等)方面具有极为广阔的应用前景；当前，硅量子点研究最广泛的领域是其在发光器件和太阳能电池中的应用。众所周知，目前广泛应用的发光材料是具有直接带隙特征的II1-V族和I1-VI族化合物半导体材料，例如砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)和硒化镉(CdSe)等。但是，这些材料要么制备成本太高(如GaN等本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有光致发光特性的硅基量子点纳米材料的制备方法，其特征在于：利用强流脉冲电子束辐照单晶硅片制备硅基纳米量子点纳米材料，所述纳米材料能够发出蓝光。

【技术特征摘要】
1.一种具有光致发光特性的硅基量子点纳米材料的制备方法，其特征在于:利用强流脉冲电子束辐照单晶硅片制备硅基纳米量子点纳米材料，所述纳米材料能够发出蓝光。2.如权利要求1所述的一种具有光致发光特性的硅基量子点纳米材料的制备方法，其特征在于:所述单晶娃片经过前处理，包括如下步骤:将尺寸为10 mmX 10 mm的单晶娃片作为基底，放入到酒精与丙酮按照体积比1:广4:1混合的溶液中超声清洗60 100 min并吹干。3.如权利要求1所述的一种具有光致发光特性的硅基量子点纳米材料的制备方法，其特征在于:所述强流脉冲电子束的能量为20 30 KeV，作用时间为1.5is，脉冲间隔为10s，电子束脉冲次数为I 20，样品距阴极电子枪距离L...

【专利技术属性】
技术研发人员：关庆丰，吕鹏，王晓彤，张在强，李艳，杨盛志，侯秀丽，
申请(专利权)人：江苏大学，
类型：发明
国别省市：