【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】，属于湿法化学腐蚀制备三维结构领域，特点是在较低温度下采用化学腐蚀的方法制备硅垂直三维结构，与传统湿法化学方法制备三维结构相比，实用性强，很好地解决了各种形状三维结构的陡直性问题，不受图形形状和晶向的限制。在微传感器和集成电路制造等领域具有很大的应用前景。【专利说明】
本专利技术涉及材料和化学领域，特别是涉及硅基垂直三维结构化学刻蚀的方法。
技术介绍
湿法化学刻蚀技术是硅微细加工技术中常用的技术，与干法刻蚀相比较，化学刻蚀技术的加工成本更为低廉，且制作工艺过程单间。但是这项技术存在横向刻蚀问题，很难加工出陡直的三维结构，这限制了湿法刻蚀技术在硅基三维结构加工中的应用。本专利技术所要解决的技术问题是:提供一种硅基三维结构化学刻蚀的方法。该方法可以实现周期性陡直三维结构，不受图形间距和形状的限制。本专利技术解决其技术问题采用以下技术方案:本专利技术提供的垂直硅基三维结构化学刻蚀方法，步骤包括:(I)光刻硅片，利用光刻机和图形掩模将硅片进行光刻。(2)配置腐蚀液:HF溶液与AgNO3摩尔浓度比5: 0.02。(3)腐蚀:将经过常规RAC清洗后的光刻硅片放入在高压反应釜中，溶液体积达到总溶量的80%,在合适温下腐蚀一定的时间。(4)后处理:腐蚀结束后的硅片经去离子水冲洗后在质量比为10% HF的溶液中浸泡I分钟，取出硅片去离子水冲洗后放入质量比为10%的KOH溶液中浸泡5-20分钟，去离子水冲洗后烘干。经上述步骤后得到垂直的硅三维结构。本专利技术采用以下方法将得到的三维结构产品利用扫描电子显微镜观察分析产品的表面和断面形貌，以检查该产品的质量。...
【技术保护点】
一种制备垂直硅基三维结构的方法，包括以下步骤：(1)光刻硅片，利用光刻机和图形掩模将硅片进行光刻。(2)配置腐蚀液：HF溶液与AgNO3摩尔浓度比5∶0.02。(3)腐蚀：将经过常规RAC清洗后的光刻硅片放入在高压反应釜中，溶液体积达到总溶量的80％，在合适温下腐蚀一定的时间。(4)后处理：腐蚀结束后的硅片经去离子水冲洗后在质量比为10wt％HF的溶液中浸泡1分钟，取出硅片去离子水冲洗后放入质量比为10wt％的KOH溶液中浸泡5?20分钟，去离子水冲洗后烘干。经上述步骤后可得到垂直的硅三维结构。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：蒋玉荣，秦瑞平，杨海刚，马淑红，边长贤，胡晓锋，宋桂林，常方高，
申请(专利权)人：河南师范大学，
类型：发明
国别省市：
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