一种硅基BGA的圆片级芯片封装结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种硅基BGA的圆片级芯片封装结构，属于半导体芯片封装技术领域。其包括若干个IC芯片（100）、圆片（200）和若干个焊球凸点（300），所述IC芯片（100）的芯片本体（110）设有芯片电极（111），所述圆片（200）的硅基本体（210）的表面覆盖绝缘层（220），所述绝缘层（220）的表面设置再布线金属走线层（230），所述再布线金属走线层（230）的表面设置介电层（240），所述焊球凸点（300）呈球栅阵列分布，所述IC芯片（100）通过再布线金属走线层（230）内的金属走线设计与焊球凸点（300）实现电信号连接。本实用新型专利技术提供了一种引脚间距小、引脚个数多、封装尺寸小、多芯片封装、封装成本低的硅基BGA的圆片级芯片封装结构。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种硅基BGA的圆片级芯片封装结构，其包括若干个IC芯片（100）、圆片（200）和若干个焊球凸点（300），所述IC芯片（100）的芯片本体（110）设有芯片电极（111），所述圆片（200）的硅基本体（210）的表面覆盖绝缘层（220），所述绝缘层（220）的表面设置再布线金属走线层（230），所述再布线金属走线层（230）的表面设置介电层（240），?其特征在于：所述介电层（240）上形成介电层开口，所述介电层开口包括介电层开口Ⅰ（241）和分布于介电层开口Ⅰ（241）周围的若干个介电层开口Ⅱ（242），所述介电层开口Ⅰ（241）内所述IC芯片（100）通过金属微结构（120）倒装于再布...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈海杰，徐虹，陈栋，张黎，陈锦辉，赖志明，
申请(专利权)人：江阴长电先进封装有限公司，
类型：实用新型
国别省市：