第Ⅲ族氮化物化合物半导体发光元件制造技术

在倒装晶片型第Ⅲ族氮化物化合物半导体发光元件中，在ｐ侧电极表面和ｎ侧电极表面的每一个上配置一个Ａｕ层，并插入有Ｔｉ层。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种第III族氮化物化合物半导体发光元件。特别地，它涉及一种具有在一个表面侧形成的p侧电极和n侧电极并优选用在倒装晶片型发光器件中的第III族氮化物化合物半导体发光元件。
技术介绍
已经知道(倒装晶片型)发光器件的配置，具有第III族氮化物化合物半导体发光层的元件安装在支架上，在其上形成p侧电极和n侧电极的元件表面被用作安装表面。在这种类型的发光器件中，从发光元件的发光层发出的光经过透光基底照射到外面。发光元件的电极经导电性粘接构件分别电连接到支架的电极(n层和p层或布线图)。要求导电性粘接构件具有高导电性。一般地，Au粘接构件(Au块(bump))用作导电性粘接构件。Al、V等可以用作发光元件的n侧电极。另一方面，低接触电阻和高反射效率的Rh等可以用作p侧电极。当Rh用作p侧电极时，Rh对Au块的粘接是低的。因此，可以事先在p侧电极的表面形成Au的厚膜以增强p侧电极对Au块的粘接。结果，发光元件和支架之间的粘结强度被增强。当注意n侧电极时，n侧电极表面由电极材料Al等制成。不能说n侧电极和Au块之间的粘结强度是足够的。因为这个原因，仍有改进防腐特性或耐用的空间。也本文档来自技高网...

【技术保护点】
第Ⅲ族氮化物化合物半导体发光元件，其具有在一个表面侧上形成的ｐ侧电极和ｎ侧电极，所述的第Ⅲ族氮化物化合物半导体发光元件进一步具有：在所述ｐ侧电极表面上形成的含Ａｕ的ｐ侧电极膜；和在所述ｎ侧电极表面上形成的含Ａｕ的ｎ侧电极膜。

【技术特征摘要】
JP 2001-6-6 170908/20011.第III族氮化物化合物半导体发光元件，其具有在一个表面侧上形成的p侧电极和n侧电极，所述的第III族氮化物化合物半导体发光元件进一步具有在所述p侧电极表面上形成的含Au的p侧电极膜；和在所述n侧电极表面上形成的含Au的n侧电极膜。2.根据权利要求1的第III族氮化物化合物半导体发光元件，其中，所述的p侧电极膜由包括起始层和在所述的起始层上形成的上层的多个层组成，所述的起始层由选自Ti、Cr、W、Mo、Ta、Zr和V组成的组中的金属或所述金属的合金制成，所述的上层由Au或Au合金制成。3.根据权利要求2的第III族氮化物化合物半导体发光元件，其中，所述的起始层由Ti或Ti合金制成。4.根据权利要求1的第III族氮化物化合物半导体发光元件，其中，所述的n侧电极膜由包括起始层和在所述的起始层上形成的上层的多个层组成，所述的起始层由选自Ti、Cr、W、Mo、Ta、Zr和V组成的组中的金属或所述金属的合金制成，所述的上层由Au或Au合金制成。5.根据权利要求4的第III族氮化物化合物半导体发光元件，其中，所述的起始层由Ti或Ti合金制成。6.根据权利要求1的第III族氮化物化合物半导体发光元件，其中，所述的p侧电极膜和所述的n侧电极膜在层结构上是相同的。7.根据权利要求1的第III族氮化物化合物半导体发光元件，其中，形成所述的p侧电极膜使得所述p侧电极的表面完全被所述的p侧电极膜覆盖。8.根据权利要求1的第III族氮化物化合物半导体发光元件，其中，形成所述的n侧电极膜使得所述n侧电极的表面完全被所述的n侧电极膜覆盖。9.一种发光器件，包括第III族...

【专利技术属性】
技术研发人员：上村俊也，堀内茂美，
申请(专利权)人：丰田合成株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]