生产第Ⅲ族氮化物化合物半导体器件的方法技术

ｐ座电极层压到透光电极形成层后，进行第一个加热步骤和第二个加热步骤以合金化这两层。在第一个加热步骤中，在含氧气氛中在相当低的温度下进行热处理。在第二个加热步骤中，在不含氧的气氛中在相当高的温度下进行热处理。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种第III族氮化物化合物半导体器件。例如，本专利技术适合第III族氮化物化合物半导体发光器件例如蓝色发光二极管等的电极的改进。
技术介绍
在第III族氮化物化合物半导体发光器件例如蓝色发光二极管等中，已经提出多种建议从器件整个表面获得均匀光发射。例如，透光电极粘结到p型层使得电流能注入到p型层表面的较宽范围。在这种情况下，透光电极形成如下。第二个电极层(例如Au)层压在第一个电极层(例如Co)上形成透光电极形成层。透光电极形成层在500-600℃温度下含氧气体中被热处理。结果，透光电极形成层和p型层合金化，从而保证了两层之间的欧姆接触。顺便提及，在这种情况下第一个电极层的组成元素的分布发生变化。根据本专利技术人的检验，当在不低于500℃的高温下含氧气氛中进行热处理，p座电极(p-seat electrode)的表面状态发生变化，使得对导电性电线粘附力的可靠性被降低。象透光电极那样，p座电极用层压多个电极层形成(例如从较低侧起连续层压Cr和Au)。当在高温下含氧气氛中进行热处理时，可能会发生低金属层的部分移到表面并在那里被分离的情况。这种情况下，除了降低对导电性电线本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种生产第Ⅲ族氮化物化合物半导体器件的方法，包括：在第Ⅲ族氮化物化合物半导体的ｐ型层上层压第一种金属形成第一电极层和在所述的第一电极层上层压离子化电位比所述第一种金属高的第二种金属形成第二电极层的电极形成步骤；在实质含氧的气氛中第一个温度下进行热处理的第一个加热步骤；和在实质无氧的气氛中比所述的第一个温度高的第二个温度下进行热处理的第二个加热步骤。

【技术特征摘要】
JP 2001-6-4 167835/20011.一种生产第III族氮化物化合物半导体器件的方法，包括在第III族氮化物化合物半导体的p型层上层压第一种金属形成第一电极层和在所述的第一电极层上层压离子化电位比所述第一种金属高的第二种金属形成第二电极层的电极形成步骤；在实质含氧的气氛中第一个温度下进行热处理的第一个加热步骤；和在实质无氧的气氛中比所述的第一个温度高的第二个温度下进行热处理的第二个加热步骤。2.根据权利要求1的生产第III族氮化物化合物半导体器件的方法，其中所述的第二个加热步骤在所述的第一个加热步骤后进行。3.根据权利要求1的生产第III族氮化物化合...

【专利技术属性】
技术研发人员：上村俊也，
申请(专利权)人：丰田合成株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]