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生产第Ⅲ族氮化物化合物半导体器件的方法技术
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文档序号:3208576
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p座电极层压到透光电极形成层后,进行第一个加热步骤和第二个加热步骤以合金化这两层。在第一个加热步骤中,在含氧气氛中在相当低的温度下进行热处理。在第二个加热步骤中,在不含氧的气氛中在相当高的温度下进行热处理。...
该专利属于丰田合成株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过丰田合成株式会社授权不得商用。
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