一种双色量子阱红外探测器面阵的制作方法，其中包括光栅的制作，包括光刻及刻蚀，根据实际情况可以选择不同的光栅形状，使用干法刻蚀或湿法腐蚀；在整个材料上沉积金属；上台面的光刻及刻蚀；在探测器２起作用的像素中，对探测器１进行侧向短路，该项又包...

一种光子晶体结构ＧａＮ基蓝光发光二极管结构，包括：一蓝宝石衬底；一Ｎ型ＧａＮ层，该Ｎ型ＧａＮ层直接生长在蓝宝石衬底上，该Ｎ型ＧａＮ层的一侧的平面上刻蚀有一台阶，形成一大平面和一小平面；一ＧａＮ材料有源层，该ＧａＮ材料有源层制作在Ｎ型Ｇａ...

一种制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置，包括：一竖直式石英外延生长室，该竖直式石英外延生长室为筒状；一生长室加热装置，该生长室加热装置为环形，套置安装在竖直式石英外延生长室的外围；一上盖板，该上盖板固定在竖直式石英外延生长室的上面，...

一种光子微结构ＧａＮ基蓝光发光二极管的制作方法，包括如下步骤：首先在ＧａＮ样品上表面生长一层二氧化硅层，作为刻蚀ＧａＮ材料的掩模层；在二氧化硅掩模上旋涂上一层光刻胶，需要是对所用激光感光的光刻胶；取一短波长激光器作为光源，将短波长激光器...

一种在硅衬底上磁控溅射制备铁磁性锰硅薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：１）以硅单晶为衬底材料；２）采用磁控溅射方法，选择锰靶和硅靶两个靶；３）将硅单晶衬底送入磁控溅射仪制备室；４）衬底为室温或加温，锰靶和硅靶共溅射制备锰－硅薄膜；５...

本发明涉及晶片加工工具技术领域，特别是一种晶片工艺卡具。由侧推立柱（１），四面锥体（２）以及卡具体（３）组成，卡具体（３）同其他工艺部分连接，连接方式根据需要设定。晶片卡具由侧推立柱１，四面锥体底座２，卡具体３组成。侧推立柱１垂直安置在...

本发明涉及Ⅲ－氮化物半导体材料技术领域，特别是一种可以减小Ｍｇ记忆效应的ＧａＮ基ｐｎ结的生长方法。采用提前关闭Ｃｐ↓［２］Ｍｇ源并低温生长覆盖层的方法，有效减小Ｍｇ在ｐｎ结结面的记忆效应，其主要特征是在生长Ｍｇ掺杂ｐ型ＧａＮ层时，提前适...

一种砷化镓衬底上制备纳米尺寸坑的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤１：以半绝缘砷化镓单晶片为衬底；步骤２：异质外延生长砷化铟应变自组装纳米点；步骤３：外延砷化镓薄层，使其部分覆盖上述砷化铟纳米点；步骤４：第一次退火；步骤５：衬底温度降...

一种砷化镓／锑化镓迭层聚光太阳电池的制作方法，包括如下步骤：顶电池以半绝缘砷化镓单晶片为衬底；利用金属有机化合物气相沉积法、分子束外延和液相外延生长技术，生长太阳电池外延片；在顶电池的外延片的砷化镓层上面制作正电极；在外延片底层的重掺杂...

本发明涉及半导体技术领域，特别是一种在立方氮化硼薄膜上制备良好欧姆接触的方法。利用脉冲激光沉积（ＰＬＤ）技术在ｃ－ＢＮ薄膜上制备Ｔｉ／Ａｕ双层接触，在ＰＬＤ技术中，由于激光溅射出的粒子具有较高能量（＞１００ｅＶ），使得ｃ－ＢＮ／Ｔｉ界面...

本发明涉及半导体技术领域，特别是半导体低维量子结构中量子点的光电容法确定半导体量子点电荷密度的方法。通过选择光激发下电容一电压测量，利用低维半导体结构内部两层之间电子态隧穿耦合引起的光电容特征结构，来确定量子点电荷密度。对半导体量子点器...

本发明涉及光电子薄膜材料及器件的制备与应用技术领域。特别是一种用等离子体处理提高硅基晶体薄膜发光的方法。第一步，按一定化学剂量比制备Ｅｒ－Ｓｉ－Ｏ溶胶；第二步，在经过常规处理的硅衬底上旋转涂覆一层Ｅｒ－Ｓｉ－Ｏ干凝胶薄膜；第三步，高温烧...

本发明涉及到集成化ＭＥＭＳ技术领域，特别是一种ＣＭＯＳ电路与ＭＥＭＳ微电极的单片集成化工艺方法。采用与ＣＭＯＳ工艺相兼容的方式单片集成ＣＭＯＳ电路与ＭＥＭＳ微电极，先确定ＭＥＭＳ微电极的形状与尺寸，然后同时制作ＣＭＯＳ电路和ＭＥＭＳ微电...

本发明涉及发光二极管技术领域的一种深紫外发光二极管结构。该结构利用了等离激元效应，表面等离激元是光场在导体表面与载流子相互耦合形成的振荡波，表面等离激元的激发、耦合是通过具有周期性结构的金属薄膜来实现的，同时该金属薄膜又具有电极接触的功...

本发明涉及光探测器技术领域，特别是一种近场光学增强型可见光探测器的器件结构。利用表面等离激元的近场光场增强效应，即表面等离激元，表面等离激元将光场限制在一个小的区域内，表面等离激元是光场在导体表面与载流子相互耦合形成的振荡波，来提高光吸...

本发明涉及半导体激光器技术领域，提供了一种ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ亚分子单层量子点外延层结构，以及实现这一外延结构的分子束外延生长方法。结构包括第一层为ＧａＡｓ过渡层；第二层为ＩｎＧａＡｓ亚分子单层量子点结构；第三层为ＧａＡｓ表面保护层。...

本发明涉及半导体激光器技术领域，提供了一种ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ　　ＳＫ生长方式高密度量子点（１０↑［１１］／ｃｍ↑［２］以上）外延层结构，以及实现这一外延结构的分子束大功率半导体量子点激光器材料的外延生长方法。通过精确控制分子束外延生...

本发明涉及晶片直接键合技术领域，提供的是一种利用低温键合技术将ＩｎＰ基材料键合到Ｓｉ表面的方法。单面抛光的Ｓｉ和ＩｎＰ晶片，在通过有机溶剂去除覆盖在表面的一层疏水性的有机物的处理后，再对ＩｎＰ和Ｓｉ分别进行表面除杂质离子、除碳和表面清水...

一种深亚微米ＣＭＯＳ工艺电感补偿型光电探测器，包括：一Ｐ衬底；一正方形Ｎ阱区制作在Ｐ衬底上；一环形浅沟道隔离区制作在Ｎ阱区中，且被环形Ｎ＋区环绕；一阵列形第一Ｐ＋区制作在Ｎ阱区中，且被环形浅沟道隔离区环绕，构成探测器阵列阳极；一环形Ｎ＋...

一种ｎ↑［＋］／ｐ型砷化镓太阳电池表面高透射率窗口层锌硒硫的制备方法，包括如下步骤：以ｐ型砷化镓或锗单晶片为衬底；利用金属有机化合物气相沉积法、分子束外延生长技术，生长ｎ↑［＋］／ｐ型太阳电池外延片，外延至顶电池的发射区层；在发射区层上...