【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于光电子器件领域,更具体的说是一种用来准确测量半导体激光器和探测器的TO封装座高频参数用的夹具。
技术介绍
在光电集成电路的设计过程中,往往需要建立准确的光电子器件,如激光器、探测器等的模型,模型参数的准确性往往取决于测量的精度。近年来,TO封装激光器实现了10Gbps的高速调制重新引起了人们对TO封装的研究兴趣,由于体积小、低成本、连接方便,使得TO封装光电子器件成为接入网、城域网和机架交换设备中光收发模块,如SFF、SFP和XFP等中发射器和接收器的理想封装形式。一般TO封装的管脚间距小于常用的3.5或者2.4mm同轴接头内外导体间距,在高频测试中,如果将TO管座直接接在同轴接头端,其管脚间距会增大,使得TO管座变形,测试准确性大大降低;另外,由于TO管座的管脚间距比微波探针的间距(约200um)宽的多,使得微波探针无法直接与TO管座相连进行测试。TO封装管座测试的不精确势必造成TO封装光电子器件的特性化分析和建模的不准确。
技术实现思路
为了准确地对TO封装座分析和建模,本专利技术的目的在于提供一种测量光电子器件TO封装座高频参数用的测试夹具,使用该夹具可以方便地进行测量,且在测试结果中可以去除掉夹具的影响,从而得到准确的TO管座高频特性。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是本专利技术是一种测量光电子器件TO封装座高频参数用的测试夹具,其特征在于,其中包括一背地共面波导,该背地共面波导包括一方形填充介质,该方形填充介质为矩形;一底面电极、两侧面电极和两顶面电极,该底面电极、两侧面电极和两顶面电极是由一矩形金属材料围组而成,形成一端断 ...
【技术保护点】
一种测量光电子器件TO封装座高频参数用的测试夹具,其特征在于,其中包括:一背地共面波导,该背地共面波导包括:一方形填充介质,该方形填充介质为矩形;一底面电极、两侧面电极和两顶面电极,该底面电极、两侧面电极和两顶面电极是由一矩形金属材料围组而成,形成一端断面概似矩形的框体形成地电极,该框体的上面有一开口;一信号电极,该信号电极为一金属条状,该信号电极置于背地共面波导上的开口内、方形填充介质上,该信号电极不与两顶面电极接触;一同轴接头,该同轴接头包括:一内空心金属导体,该内空心金属导体与背地共面波导的信号电极连接;一外金属导体,该外金属导体为管状,该内空心金属导体置于该外金属导体的中间,该外金属导体与背地共面波导地电极连接,该内空心金属导体和外金属导体之间填充有填充介质。
【技术特征摘要】
1.一种测量光电子器件TO封装座高频参数用的测试夹具,其特征在于,其中包括一背地共面波导,该背地共面波导包括一方形填充介质,该方形填充介质为矩形;一底面电极、两侧面电极和两顶面电极,该底面电极、两侧面电极和两顶面电极是由一矩形金属材料围组而成,形成一端断面概似矩形的框体形成地电极,该框体的上面有一开口;一信号电极,该信号电极为一金属条状,该信号电极置于背地共面波导上的开口内、方形填充介质上,该信号电极不与两顶面电极接触;一同轴接头,该同轴接头包括一内空心金属导体,该内空心金属导体与背地共面波导的信号电极连接;一外金属导体,该外金属导体为管状,该...
【专利技术属性】
技术研发人员:张尚剑,祝宁华,
申请(专利权)人:中国科学院半导体研究所,
类型:发明
国别省市:11[中国|北京]
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