具有外加磁场的深能级瞬态谱测量装置与测量方法制造方法及图纸

一种具有外加磁场的深能级瞬态谱测量装置，用于观察稀磁半导体材料中由于磁性离子引进的杂质和缺陷深能级与外加磁场相互作用信息，其特征在于，包括：一永久磁铁，该永久磁铁为圆柱形；一底板，该底板置于永久磁铁的下方；两块防护板，该防护板为矩形，该两防护板置于永久磁铁和底板的两侧；一台面，该台面为矩形，该台面置于永久磁铁的上面；使两块防护板的高度与永久磁铁加上底板的高度相同；台面正好覆盖住永久磁铁和两块防护板。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术专利涉及半导体(非磁性和磁性)材料及其相关器件的电学特性(材料的杂质和缺陷深能级瞬态谱，样品电容-电压和电流-电压特性曲线)测量装置与测量方法，特别是涉及到用于稀磁半导体深能级瞬态谱测量的外加磁场装置和测量方法以及稀磁半导体材料中由于磁性离子掺杂产生相关的杂质与缺陷深能级与外加磁场的相互作用信息。
技术介绍
1974年美国Bell实验室D.V.Lang专利技术了用于测量非磁性半导体材料的杂质和缺陷深能级瞬态谱技术，打开了半导体材料电学特性测量新领域。为研究和应用新型半导体材料和相关电子器件打下了坚实的基础。随着半导体产品的迅猛发展，新型磁性半导体材料出现，但传统的深能级瞬态谱测量装置(无外加磁场)已无法满足材料电学特性测量需要，尤其是磁性半导体材料运用领域——自旋电子器件。因为在无外加磁场条件下获得的磁性半导体材料中的深能级信息已不能全面反映其电学特性和行为。随着自旋电子器件的应用，迫切需要了解在外加磁场下材料中杂质与缺陷的电学行为和它们之间的相互作用信息。但到目前为止，我们查询了国内外相关文献资料，均无具有外加磁场的深能级瞬态谱测量装置和测量方法的报导。我们申请该专利本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有外加磁场的深能级瞬态谱测量装置，用于观察稀磁半导体材料中由于磁性离子引进的杂质和缺陷深能级与外加磁场相互作用信息，其特征在于，包括：一永久磁铁，该永久磁铁为圆柱形；一底板，该底板置于永久磁铁的下方；两块防护板 ，该防护板为矩形，该两防护板置于永久磁铁和底板的两侧；一台面，该台面为矩形，该台面置于永久磁铁的上面；使两块防护板的高度与永久磁铁加上底板的高度相同；台面正好复盖住永久磁铁和两块防护板。

【技术特征摘要】
1.一种具有外加磁场的深能级瞬态谱测量装置，用于观察稀磁半导体材料中由于磁性离子引进的杂质和缺陷深能级与外加磁场相互作用信息，其特征在于，包括一永久磁铁，该永久磁铁为圆柱形；一底板，该底板置于永久磁铁的下方；两块防护板，该防护板为矩形，该两防护板置于永久磁铁和底板的两侧；一台面，该台面为矩形，该台面置于永久磁铁的上面；使两块防护板的高度与永久磁铁加上底板的高度相同；台面正好复盖住永久磁铁和两块防护板。2.根据权利要求书1所述的具有外加磁场的深能级瞬态谱测量装置，其特征在于，其中该防护板的材料为聚四氟乙烯。3.根据权利要求书1所述的具有外加磁场的深能级瞬态谱测量装置，其特征在于，其中该底板的材料为无氧紫铜。4.根据权利要求书1所述的具有外加磁场的深能级瞬态谱测量装置，其特征在于，其中该永久磁铁为稀土材料制成，直径为30mm，磁铁强度范围在300-3000高斯，其厚度范围在3.5-6.5mm之间。5.根据权利要求书1所述的具有外加磁场的深能级瞬态谱测量装置，其特征在于，其中该台面的材料为聚四氟乙烯。6.一种具有外加磁场的深能级瞬态谱测量方法，用于观察稀磁半导体材料中由于磁性离子引进的杂质和缺陷深能级与外加磁场相互作用信息，其特征在于，包括如下步骤步骤1将放置有样品的样品台置于...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢励吾，张砚华，葛惟昆，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]