【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种具有高光电转换效率的p-n结硅光电二极管，可用于制造具有高灵敏度的光探测器和高效太阳能电池。p-n结二极管器件是最简单的光电器件。半导体有吸收光并使光子转换成光生载流子(电子、空穴对)的特点，由于p-n结处存在着自建电场，光照在半导体上产生的光生载流子就会扩散到p-n结处的自建电场，而光生载流子就会被这个自建电场加速以形成光生电流。p-n结二极管就是依靠着其自建电场使光转换成电流，因此p-n结器件可用于制造光探测器和太阳能电池。p-n结光探测器已经进入商业应用领域，现有p-n结光探测器的弱点是其对光特别是长波长(红外波段)的光吸收率不高，因此现有p-n结光探测器对光特别是红外光的光电转换效率比较低，另外，较低光电转换效率的p-n结也使得p-n结太阳能电池的转换效率不高。本专利技术的目的就是为了克服现有p-n结硅光电器件的弱点，而提供了一种具有高光电转换效率的p-n结硅光电二极管，使器件吸收更多的光，使更多的光子转化成光生载流子(电子、空穴对)，从而增大p-n结的光电转换效率，以提高光探测器的灵敏度和太阳能电池的效率。本专利技术“高光电转换效...
【技术保护点】
一种用于光电转换的ｐ－ｎ结硅光电二极管，其特征在于在硅衬底表面附近形成的ｐ－ｎ结的上方或下方存在一具有高热稳定性的缺陷层。
【技术特征摘要】
1.一种用于光电转换的p-n结硅光电二极管，其特征在于在硅衬底表面附近形成的p-n结的上方或下方存在一具有高热稳...
【专利技术属性】
技术研发人员：李建明，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。