本发明一种光电子器件和自对准模斑转换器集成的选区外延方法，该方法包括如下的生长步骤：（１）在衬底上平面生长缓冲层、下限制层和有源层；（２）在平面生长后，根据二氧化硅掩模形状，选择生长预定厚度的上限制层和垂直方向上的楔型波导；（３）根据不...

一种连续自对准半导体光电子器件与模斑转换器的集成方法，包括如下步骤：利用金属有机气相化学沉积技术在铟磷衬底上生长铟磷缓冲层、铟镓砷磷下波导限制层、铟磷隔离层、有源区结构、薄层铟镓砷磷上限制层和铟磷保护层；光刻腐蚀出模斑转换器部分；采用等...

本发明一种多量子阱波导对接耦合方法，包括如下步骤：（１）在衬底上外延生长元器件Ａ的多量子阱结构；（２）淀积一层介质膜后，掩膜光刻，腐蚀掉Ａ台条以外的多量子阱结构；（３）再次外延元器件Ｂ的多量子阱结构；（４）掩膜光刻去掉Ａ和Ｂ界面处生长质...

一种偏振不灵敏半导体光放大器、电吸收调制器两用器件，该器件包括：一ｎ型重掺杂的磷化铟衬垫；一ｎ型掺杂的磷化铟缓冲层，该ｎ型掺杂的磷化铟缓冲层制作在ｎ型重掺杂的磷化铟衬垫上；一不掺杂下限制层，该下限制层制作在缓冲层上；一不掺杂有源层，该有...

一种同一源区偏振不灵敏半导体光放大器、电吸收调制器集成器件，包括：一ｎ型重掺杂磷化铟衬垫；一负电极，该负电极制作在衬垫的下方；一ｎ型掺杂磷化铟缓冲层，该缓冲层制作在衬垫上；一无掺杂铟镓砷磷下限制层，该下限制层制作在缓冲层上；一无掺杂有源...

本发明提供一种半导体激光器蝶形封装器件，该器件包括：一蝶形管壳；一半导体致冷器烧焊在蝶形管壳里面；一带有半导体激光器、光纤和背光探测器及微波微带电路的硅热沉固定在半导体致冷器上；管壳引脚固定在蝶形管壳两侧；用互连金丝连接硅热沉上的微波微...

本发明提供一种半导体激光器Ｖ形槽固定光纤同轴器件，其中包括：一管壳，该管壳为一圆形壳体；一管座固定在管壳的一端；一内支架固定在管壳内的管座的一面；一带有半导体激光器和光纤的硅热沉固定在内支架上；一背光探测器固定在管壳内的管座的一面；管座...

本发明一种自适应耦合半导体激光器蝶形封装器件，该器件包括：一蝶形管壳；一半导体致冷器烧焊在蝶形管壳里面；一带有半导体激光器、光纤和背光探测器及微波微带电路的硅热沉固定在半导体致冷器上；管壳引脚固定在蝶形管壳两侧；用互连金丝连接硅热沉上的...

一种自组织量子点为有源区的超辐射发光管，其中包括：一上限制层；一上渐变折射率波导层，该上渐变折射率波导层制作在上限制层的下面；一自组织量子点有源区，该自组织量子点有源区制作在上渐变折射率波导层的下面；一下渐变折射率波导层，该下渐变折射率...

一种波长可调谐分布布拉格反射激光器的制作方法，包括如下步骤：１）在ｎ型磷化铟衬底上外延多量子阱层结构；２）掩膜光刻腐蚀掉有源区以外的多量子阱层；３）外延铟镓砷磷体材料和一层磷化铟层；４）淀积一层介质膜，掩膜开光栅窗口，选择腐蚀磷化铟层；...

一种基于激子效应的多量子阱光调制器／探测器列阵器件，列阵中的每个光调制器／探测器的结构相同，其中包括：一衬底；一布拉格反射镜，该布拉格反射镜制作在衬底上；一多量子阱光吸收区，该多量子阱光吸收区制作在布拉格反射镜上，该多量子阱光吸收区的面...

一种窗口隔离型极小孔激光器，其中包括：一衬底；一Ｎ面电极，该Ｎ面电极制作在衬底的底面；一下限制层，该下限制层制作在衬底的上面；一有源区，该有源区制作在下限制层的上面；在该有源区上形成有限制出光的小孔；一上限制层，该上限制层制作在有源区的...

一种用于大功率激光耦合的光纤头结构，包括：一主体，分为一大径端和小径端，在小径端的端部有螺纹，中间有中心通孔以便光纤容置，在中心通孔的两侧开有两通孔，两通孔是冷却水的通道，在大径端上开有两个水孔，该两个水孔分别与通孔连通；一前堵头、一后...

一种波长可调谐分布布拉格反射半导体激光器的制作方法，包括以下步骤：在ｎ型磷化铟衬底１上外延多量子阱层结构；在多量子阱层上生长氮化硅介质膜；在多量子阱层上生长二氧化硅介质膜；快速退火；掩膜光刻；用选择腐蚀方法，去掉铟镓砷层，磷化铟层和铟镓...

一种三角形谐振腔半导体激光器，结构包括普通边发射激光器由下限制层，有源区和上限制层构成的平板波导，等边三角形外部区域腐蚀到下限制层或衬底，而未腐蚀的等边三角形区域作为谐振腔，三角形边作为反射镜面，其特征在于：在等边三角形的中心点有一孔，...

一种小尺寸氮化镓基蓝、绿色发光二极管管芯的制作方法，包括如下步骤：在蓝宝石衬底上分别制作Ｎ型氮化镓层、有源区和Ｐ型氮化镓层；在设计的Ｎ型欧姆接触电极区域利用刻蚀或腐蚀的方法形成一个圆形直径或方形边长小于５０μｍ的孔，直到Ｎ型接触层；然后...

一种半导体激光器芯片频率响应的测量方法，包括如下步骤：制作微带线；制作测试和校准用金属底板；将微带线焊接在金属底板上，并焊上与矢量网络分析仪匹配的射频同轴连接器和匹配电阻，做成测试夹具和校准夹具；把焊在热沉上的芯片焊在测量夹具上制成被测...

一种半导体激光器腔面钝化处理方法，其特征在于，包括如下步骤：在Ｎ型衬底上依次外延生长半导体激光器结构；外延片欧姆接触层面涂正型光刻胶；应用光刻版沿垂直于激光器谐振腔的方向进行标准光刻；腐蚀；氦离子注入；去掉光刻胶；进行常规的半导体激光器...

一种高速率电吸收调制器的制作方法，其特征在于：包括如下步骤：（１）采用铟镓砷磷应变多量子阱结构作为调制器的吸收有源区；（２）采用干法刻蚀和湿法刻蚀相结合的三步工艺同时腐蚀出脊波导结构和压焊电极沟；（３）通过区域选择湿法腐蚀方法刻蚀压焊电...

一种硅基可协变衬底上生长三族氮化物的方法，包括如下步骤：在硅衬底上生长缓冲层和一层三族氮化物；在已生长的三族氮化物表面沉积或蒸发一层二氧化硅膜，该二氧化硅膜是最后可协变衬底的支撑，并且在中空结构形成过程起重要作用；在二氧化硅膜上沉积一层...