本发明涉及微电子和光电子用化合物半导体材料制备技术领域，特别是一种闭管化学气相传输法生长ＺｎＯ单晶方法。在封闭的石英管内，一端放置高纯ＺｎＯ粉作为源，另一端放置籽晶，通过控制源区与生长区的温度分布实现气相传输，生长ＺｎＯ体单晶，在生长过...

本发明公开了一种在砷化镓（ＧａＡｓ）衬底上外延生长锑化镓（ＧａＳｂ）的方法，该方法采用双缓冲层生长工艺，具体包括：Ａ．在５８０℃条件下在ＧａＡｓ衬底上生长ＧａＡｓ缓冲层；Ｂ．在５５０℃条件下在生长的ＧａＡｓ缓冲层上生长锑化铝（ＡｌＳｂ）...

一种独立供应金属卤化物的氢化物气相外延装置，其中：金属卤化物供应炉外部设有加热装置，该供应炉设有通气管道；该供应炉内部放置金属镓、铟、铝、铁、镁中的一种或多种或者经过提纯的金属卤化物；该供应炉设有反应气体／载气通道，生成或者直接的金属卤...

一种制备氮化物单晶衬底的氢化物气相外延装置，包括：一外延生长室，为竖直设置；外延生长室上、下端面装有底盘进行密封；一衬底装置设于外延生长室内上方，衬底放置方式为面朝下；衬底装置在生长室外部接有调速马达，以控制衬底装置的转速；一金属反应源...

本发明一种生长氮化铟单晶薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤１：选择一衬底；步骤２：采用金属有机物化学气相沉积技术在衬底上生长一层成核层，该成核层可增加衬底表面的成核密度；步骤３：采用金属有机物化学气相沉积技术在成核层上生长一层缓...

一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置，包含一中央转动装置，该装置包括：一石墨托盘，为一盘状；一石墨支撑杆；一传动轴杆，上端与石墨支撑杆连接；一支撑管；一支撑件，上端与支撑管连接；一支撑座，与支撑件连接；一联轴器，其上端与传动轴杆插接连接；...

一种在纳米棒的氧化锌上生长无支撑的氮化镓纳米晶的方法，包含以下步骤：步骤１：取一衬底，表面清洗后，放入金属有机物化学气相沉积设备的反应室中；步骤２：使用金属有机物化学气相沉积方法，在衬底上生长纳米棒的ＺｎＯ层，以用来限制后续生长ＧａＮ的...

本发明一种氮化物材料外延装置，其特征在于，包括：一金属有机源化学气相沉积系统，该系统具有独立的金属有机源管路和气体源管路；一金属卤化物独立供应源，该金属卤化物独立供应源通过阀门和管路与金属有机源化学气相沉积系统的金属有机源管路直接相连。

一种氧化物的化学气相沉积制备装置，包括：一反应管，反应管内部有一金属舟组件和一衬底托，该衬底托的一个表面上可以安置一个或多个衬底；一进气口，用于输送第二气体到该反应管内并能到达衬底处；一加热装置，该加热装置安置在反应管的外围，可加热反应...

一种利用阳极氧化浴槽制备有序的阳极氧化铝通孔模板的方法，其特征在于，包含下列步骤：１）取一衬底；２）在衬底上蒸镀金属铝膜；３）将蒸镀有金属铝膜的衬底固定在阳极氧化浴槽装置中；４）蒸镀有金属铝膜的衬底在阳极氧化浴槽中的电解液中阳极氧化；５...

一种对砷化铝／砷化镓的砷化镓高选择比化学腐蚀液，其特征在于，包括：柠檬酸溶液和双氧水，该柠檬酸溶液和双氧水的体积比为４∶１。本腐蚀液不仅具有很高的选择性腐蚀比，而且与砷化镓集成工艺兼容，溶液无毒，工艺简单等特点。

一种多孔磷化铟阻挡层以及多孔磷化铟的腐蚀液及使用方法其中包括：氢溴酸和硝酸及水的混合溶液，该混合溶液的重量份为：氢溴酸：１－２；硝酸：１－２；水：１０－２０。使用上述腐蚀液的方法包括如下步骤：步骤１：取一多孔磷化铟材料；步骤２：将多孔磷...

一种高温原位减薄硅基底的装置和使用该装置的方法，该装置包括：一石墨基座，该石墨基座为圆柱形或圆盘形；该石墨基座上面有一凹部，用于承载硅基底；该石墨基座与硅基底之间有一缝隙，该缝隙为腐蚀气体通道；在该石墨基座的中心纵向有一圆孔，该圆孔为腐...

一种带导轨的镀膜架，其特征在于，其中包括：　　　　一上层，在上层中间有一矩形方口，矩形方口的两长侧边的边缘开有左右两豁口，在矩形方口的边缘均匀开有六个圆孔；　　　　一中层，该中层大小与上层相同，中间开有矩形开口，该开口比上层的方口宽１毫...

本发明属于光学薄膜技术领域，本发明涉及一种实现不同折射率膜层的制备方法，制备过程中，采用高真空下双枪电子束同时蒸镀高、低折射率膜料实现，折射率在高、低两种材料之间连续可变，通过控制两种膜料的淀积速率比精确调节淀积膜层的折射率值，该方法可...

本发明提出了一种在氧化硅上制备低阻碳化硅的方法。本发明主要包括：（１）在衬底上生长氧化硅层；（２）在氧化硅上采用低压化学气相沉积方法生长碳化硅。碳化硅生长采用乙烯（或丙烷）和硅烷作为源气体，优化生长条件得到良好形貌的碳化硅层。同时采用原...

本实用新型公开了一种用于半导工艺、具有全平滑侧壁的卧式矩形化学气相淀积反应管。这种反应管的扩展区两侧壁面与其矩形反应区两侧壁面之间有缓曲的界面。它可以避免在反应管内形成离壁返回涡流，为确保淀积层的质量控制创造了良好的条件。

本实用新型涉及一种真空镀膜机加热装置，包括：一加热片，该加热片为一片体，该加热片为连续折线形，该加热片的两端均有一接脚；一薄形盒体，该薄形盒体为矩形，该薄形盒体的一端为开口，该薄形盒体内部空间大于加热片；该加热片容置在薄形盒体内，该加热...

一种高频感应加热的化学反应腔装置，具有由内外套设的外层套管和内反应管，一加热载体设置于内反应管的管内中段。在内反应管外壁和外层套管内壁之间的空腔内位于加热载体下方位置处局部设置隔热板，以减少加热载体向管外的热辐射，从而提高加热载体的工作...

一种气源炉瞬态开关控制真空装置，其特征在于，其中包括：　　　　一不锈钢超高真空腔体；　　　　一气动阀，该气动阀与不锈钢超高真空腔体的一端连接；　　　　一气态束源炉，该气态束源炉安装在不锈钢超高真空腔体内；　　　　一气动阀门，该气动阀门与...