一种磁控溅射方法制备碳化硅薄膜工艺，其特征在于，包括如下步骤：　　　　１）选择Ｓｉ单晶为衬底材料，选择碳化硅为靶材；　　　　２）将Ｓｉ单晶衬底材料送入磁控溅射仪；　　　　３）加温，生长碳化硅薄膜；　　　　４）退火；　　　　５）完成制备碳...

本发明一种低能氧离子束辅助脉冲激光沉积氧化物薄膜的方法，其特征在于：氧化物薄膜材料的沉积生长步骤如下：将氧化物靶材及清洗后的衬底置入生长室；将生长室抽真空；利用脉冲激光辐照氧化物靶材，同时用低能离子束装置产生的低能氧离子束轰击衬底，低能...

本发明设计涉及到半导体设备制造技术领域，特别是涉及金属有机物化学气相淀积（ＭＯＣＶＤ）设备中的多层流反应室结构。该结构有多层气流，包括至少一层原材料气流层，一层隔离气流层，或／和反应室天棚的控温装置。原材料气流层紧贴着衬底，其中原材料通...

本发明提供一种制备金属铪薄膜材料的方法。利用具有质量分离功能与荷能离子沉积特点的双离子束外延生长设备，以纯度要求不高的低成本氯化铪为原材料，在用单束同位素纯低能氩离子轰击溅射清洗过的洁净衬底上，先用产生的同位素纯低能金属铪离子束和氮离子...

本发明提供一种制备二元稀土化合物薄膜材料的方法。利用低能双离子束沉积设备的质量分离功能与荷能离子沉积特点，以纯度要求不高的稀土氯化物作为Ⅰ束伯纳斯型固体离子源的原材料，产生一束同位素纯低能稀土元素离子，并与Ⅱ束伯纳斯型气体离子源产生的与...

本发明是制备金属锆薄膜材料的方法，属于半导体技术领域。该方法利用有质量分离功能与荷能离子沉积特点的双离子束外延生长设备，以纯度不高的低成本氯化锆为原材料，在用单束的同位素纯低能氩离子轰击清洗过的洁净衬底上，先用产生的同位素纯低能金属锆离...

对于金属有机物化学气相沉积（ＭＯＣＶＤ）设备，特别是生产型金属有机物化学气相沉积设备，在生长完材料后烘烤石墨基座的过程中，反应室内沉积物特别是石墨基座上的沉积物受热蒸发上升，上升到反应室天棚时，由于温度差石墨沉积物会受冷再次沉积在天棚上...

一种在硅衬底上采用磁控溅射法制备氮化铝材料的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤１：选择硅单晶为衬底材料，选择铝或者氮化铝靶材为靶材；步骤２：将硅单晶衬底材料送入磁控溅射仪；步骤３：调整生长室气氛，调整氮气与氩气比例以及气体压力；步骤４...

本发明一种利用缓冲层在硅衬底上生长氧化锌薄膜的方法，其特征包括如下步骤：步骤１：选取一衬底；步骤２：在衬底（００１）晶面上采用金属有机物化学气相沉积的方法高温生长氧化铝薄膜；步骤３：在氧化铝薄膜上低温生长氧化锌薄膜。

本发明金属有机物化学气相淀积设备反应室中的公转自转机构，涉及半导体设备制造领域，特别是涉及金属有机物化学气相淀积（ＭＯＣＶＤ）设备中的衬底基座旋转机构。该金属有机物化学气相淀积设备中的公转自转机构：（１）该反应室中的大石墨舟围绕一公共固...

本发明属于光学薄膜技术领域，本发明涉及一种用电子束蒸发技术提高硅膜层致密性的制备方法，制备过程中，采用高真空下双枪电子束同时分别蒸镀硅和二氧化硅两种膜料实现，蒸发过程中，要严格控制两种膜料的淀积速率比，当淀积速率比小于３．５左右时，致密...

本发明一种制备网状纳米阵列铁磁性薄膜的物理气相沉积方法，其特征在于，包括如下步骤：１）选择基底材料，选择锰金属和锑金属为源；２）将基底材料和锰、锑源材料送入生长炉；３）抽真空，控制锰源和锑源的温度和生长时间；４）退火；５）完成薄膜的制备...

一种低损伤ＰＥＣＶＤ沉积致密的ＳｉＯ↓［２］掩膜层的方法，其特征在于，其包括如下的步骤：步骤１：清洗ＧａＮ基片；ＧａＮ基片用清洗液清洗并吹干；步骤２：沉积ＳｉＯ↓［２］掩蔽层：将经过清洗和吹干后的ＧａＮ基片，放入ＰＥＣＶＤ真空室内，进行...

本发明一种高纯氧化锌的化学气相沉积装置，其特征在于，包括：一气相沉积反应室，该气相沉积反应室的上部有一尾气出口；一锌舟，该锌舟由支架固定在气相沉积反应室内，该锌舟的上部为氧化锌的沉积区域；一恒温槽，该恒温槽内装有去离子水；一阀门，该阀门...

一种１．３微米高密度量子点结构，其特征在于，包括：一砷化镓过渡层；一第一砷化镓势垒层，该第一砷化镓势垒层制作在砷化镓过渡层上；一砷化铟自组织量子点，该砷化铟自组织量子点制作在第一砷化镓势垒层上；一铟镓砷覆盖层，该铟镓砷覆盖层制作在砷化铟...

一种长波长砷化铟／砷化镓量子点材料，其特征在于，所述材料是基于应变自组织的量子点材料，其结构包括：一砷化镓衬底；一砷化镓缓冲层，该砷化镓缓冲层制作在衬底上；一多周期量子点层，该多周期量子点层制作在砷化镓缓冲层上；一砷化镓盖层，该砷化镓盖...

本发明一种稀土复合离子注入制备发光材料的方法，其特征在于，其中包括如下步骤：步骤１：取一衬底；步骤２：在该衬底上注入稀土离子的复合离子；步骤３：退火，完成发光材料的制备。其核心是在离子注入进行稀土离子掺杂时利用稀土复合离子同步注入掺入其...

一种硅基稀土掺杂发光材料制备方法，其特征在于，其中包括如下步骤：步骤１：取一硅基衬底体材料，或硅基衬底体材料上的薄膜；步骤２：通过离子注入或淀积的方法在衬底材料或硅基衬底体材料上的薄膜表面生长一层含有杂质的硅基薄膜；步骤３：通过退火使硅...

本发明一种具光磁性质含ＭｎＩｎＡｓ／ＧａＡｓ量子点样品的结构，包括：一衬底；一缓冲层，该缓冲层沉积在衬底，它可以有效地阻止衬底中的位错可能延伸到外延层中来；一绝缘层，该绝缘层沉积在缓冲层上；一量子点注入层，该量子点注入层沉积在绝缘层３０...

本发明涉及粉体切磨料技术领域，特别是一种材料精密多线切割和研磨加工中所使用的起切削研磨作用的粉体切磨料。该粉体由两种几何形状类型不同的粉体组成。所含的两种不同的粉体材料的形状一种为常规粒状粉体，另一种为柱状粉体。所含的粒状粉体的粒径大小...