本发明属于光学薄膜技术领域，本发明涉及一种用电子束蒸发技术提高硅膜层致密性的制备方法，制备过程中，采用高真空下双枪电子束同时分别蒸镀硅和二氧化硅两种膜料实现，蒸发过程中，要严格控制两种膜料的淀积速率比，当淀积速率比小于３．５左右时，致密...

本发明一种制备网状纳米阵列铁磁性薄膜的物理气相沉积方法，其特征在于，包括如下步骤：１）选择基底材料，选择锰金属和锑金属为源；２）将基底材料和锰、锑源材料送入生长炉；３）抽真空，控制锰源和锑源的温度和生长时间；４）退火；５）完成薄膜的制备...

一种低损伤ＰＥＣＶＤ沉积致密的ＳｉＯ↓［２］掩膜层的方法，其特征在于，其包括如下的步骤：步骤１：清洗ＧａＮ基片；ＧａＮ基片用清洗液清洗并吹干；步骤２：沉积ＳｉＯ↓［２］掩蔽层：将经过清洗和吹干后的ＧａＮ基片，放入ＰＥＣＶＤ真空室内，进行...

本发明一种高纯氧化锌的化学气相沉积装置，其特征在于，包括：一气相沉积反应室，该气相沉积反应室的上部有一尾气出口；一锌舟，该锌舟由支架固定在气相沉积反应室内，该锌舟的上部为氧化锌的沉积区域；一恒温槽，该恒温槽内装有去离子水；一阀门，该阀门...

一种１．３微米高密度量子点结构，其特征在于，包括：一砷化镓过渡层；一第一砷化镓势垒层，该第一砷化镓势垒层制作在砷化镓过渡层上；一砷化铟自组织量子点，该砷化铟自组织量子点制作在第一砷化镓势垒层上；一铟镓砷覆盖层，该铟镓砷覆盖层制作在砷化铟...

一种长波长砷化铟／砷化镓量子点材料，其特征在于，所述材料是基于应变自组织的量子点材料，其结构包括：一砷化镓衬底；一砷化镓缓冲层，该砷化镓缓冲层制作在衬底上；一多周期量子点层，该多周期量子点层制作在砷化镓缓冲层上；一砷化镓盖层，该砷化镓盖...

本发明一种稀土复合离子注入制备发光材料的方法，其特征在于，其中包括如下步骤：步骤１：取一衬底；步骤２：在该衬底上注入稀土离子的复合离子；步骤３：退火，完成发光材料的制备。其核心是在离子注入进行稀土离子掺杂时利用稀土复合离子同步注入掺入其...

一种硅基稀土掺杂发光材料制备方法，其特征在于，其中包括如下步骤：步骤１：取一硅基衬底体材料，或硅基衬底体材料上的薄膜；步骤２：通过离子注入或淀积的方法在衬底材料或硅基衬底体材料上的薄膜表面生长一层含有杂质的硅基薄膜；步骤３：通过退火使硅...

本发明一种具光磁性质含ＭｎＩｎＡｓ／ＧａＡｓ量子点样品的结构，包括：一衬底；一缓冲层，该缓冲层沉积在衬底，它可以有效地阻止衬底中的位错可能延伸到外延层中来；一绝缘层，该绝缘层沉积在缓冲层上；一量子点注入层，该量子点注入层沉积在绝缘层３０...

本发明涉及粉体切磨料技术领域，特别是一种材料精密多线切割和研磨加工中所使用的起切削研磨作用的粉体切磨料。该粉体由两种几何形状类型不同的粉体组成。所含的两种不同的粉体材料的形状一种为常规粒状粉体，另一种为柱状粉体。所含的粒状粉体的粒径大小...

一种竖直式高温大功率碳化硅外延材料制造装置，特别涉及一种基于铜螺旋管射频加热的竖直式冷壁高温大功率碳化硅（ＳｉＣ）外延材料制造装置。该装置，包括双层石英外延生长室、样品交接室、样品传递与支撑装置、波纹管调节器、插板隔断阀，其双层石英外延...

一种在微波、臭氧环境下ＩＴＯ玻璃的处理方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤１：取一微波炉；步骤２：将样品放置在微波炉的炉体内；步骤３：在微波炉的炉体内置放一玻璃真空灯管架；步骤４：将内含稀薄汞蒸气的石英管放在玻璃真空灯管架上；步骤５：启...

本发明提供一种生长氧化锌纳米棒阵列的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤１：取一衬底；步骤２：在ＭＯＣＶＤ设备中利用载气通入锌源，在衬底上生长一层锌隔离层；步骤３：在ＭＯＣＶＤ设备中利用载气通入锌源和氧气，使得在锌隔离层上得到氧化锌纳米...

一种制备氧化锌一维纳米材料的方法，其特征在于，其制备方法如下：（１）将等摩尔的无机锌盐和硫化钠分别加入到水／醇的二元溶液中，搅拌形成均匀溶液；（２）在搅拌条件下，将硫化钠溶液逐滴加入到无机锌盐溶液中，反应形成硫化锌沉淀；（３）将生成的沉...

本发明涉及半导体材料生长技术领域，公开了一种采用氢致自催化法生长含铟氮化物纳米材料的方法，该方法包括：加热反应室，当反应室温度升到生长温度时，利用氢气和氮气为载气将含有铟源的反应物与氨气通入到反应室中进行反应，同时控制氢气和氮气的比例，...

本发明单相钆硅化合物以及制备方法，涉及稀土硅化物材料。一种单相钆硅化合物，是在硅衬底上制备的钆硅化合物薄膜材料，其中仅含有正交的钆二硅（ＧｄＳｉ↓［２］）相，是单晶形式或是多晶的形式。其制备方法，包括以下步骤：（１）选择适当的半导体衬底...

一种纳米尺寸空气槽的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：　光刻步骤，在顶层为硅材料，底层为任意材料的衬底表面，利用光刻技术将曝光图形转移到光刻胶上；　刻蚀步骤，采用光刻胶作掩模，利用干法刻蚀技术对顶层硅材料进行刻蚀，形成纵向刻蚀 ...

本发明属于纳米器件制造工艺技术领域，具体涉及硅纳米线一种制备工艺。其特征在于，在硅衬底上形成硅金纳米合金粒或金溶胶粒，从而可能在ＰＥＣＶＤ系统下生长硅纳米线。具体步骤为：（１）在硅衬底上用物理方法形成硅金纳米粒，或者用化学方法形成金溶胶...

一种磷化铟衬底上制备量子线阵列的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤Ａ：将半绝缘磷化铟衬底进行脱氧处理；步骤Ｂ：在进行脱氧处理后的半绝缘磷化铟衬底上生长一层缓冲层，该缓冲层与磷化铟衬底晶格匹配；步骤Ｃ：在缓冲层上生长量子线和间隔层；步骤...

本发明是一种用于ＭＥＭＳ的碳化硅微通道、微通道阵列及其制备方法，它涉及半导体工艺加工衬底和化学气相沉积方法制备碳化硅。本发明在衬底上用半导体工艺刻蚀出凹槽微结构，凹槽之间留出台面，凹槽和台面的几何尺寸包括深度、宽度和长度以及它们的分布方...