【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体激光器无源对准耦合与高频封装用硅基版,其特征在于,包括:一衬底,该衬底的一端经电化学腐蚀制作出一多孔硅层;一光纤定位V型槽,该光纤定位V型槽纵向制作在衬底的上面;一光纤终止槽,该光纤终止槽横向制作在衬底的上 面;三条金属电极,该三条金属电极制作在多孔硅层之上,形成高频传输用共面波导。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:杨华,朱洪亮,赵玲娟,王圩,
申请(专利权)人:中国科学院半导体研究所,
类型:发明
国别省市:11[中国|北京]
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