半导体激光器无源对准耦合与高频封装用硅基版制造技术

技术编号:3439117 阅读:134 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及一种半导体激光器无源对准耦合与高频封装用硅基版,包括:一衬底,该衬底的一端经电化学腐蚀制作出一多孔硅层;一光纤定位V型槽,该光纤定位V型槽纵向制作在衬底的上面;一光纤终止槽,该光纤终止槽横向制作在衬底的上面;三条金属电极,该三条金属电极制作在多孔硅层之上,形成高频传输用共面波导。利用本发明专利技术不仅可以在普通的廉价低阻硅衬底上制备高精度光纤定位V型槽,而且可以在该衬底上制作高频传输用共面波导。无需采用价格昂贵的高阻硅或厚的SiO↓[2]介质层;因此该结构能够简化生产工艺,降低生产成本,提高生产效益。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体激光器无源对准耦合与高频封装用硅基版,其特征在于,包括:一衬底,该衬底的一端经电化学腐蚀制作出一多孔硅层;一光纤定位V型槽,该光纤定位V型槽纵向制作在衬底的上面;一光纤终止槽,该光纤终止槽横向制作在衬底的上 面;三条金属电极,该三条金属电极制作在多孔硅层之上,形成高频传输用共面波导。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:杨华朱洪亮赵玲娟王圩
申请(专利权)人:中国科学院半导体研究所
类型:发明
国别省市:11[中国|北京]

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