一种砷化镓／砷化铝分布布拉格反射镜的湿法腐蚀方法，其特征在于，包括如下步骤：（Ａ）在衬底上，使用分子束外延的方法外延生长砷化镓缓冲层；（Ｂ）在砷化镓缓冲层上生长多个周期分布布拉格反射镜；（Ｃ）对分布布拉格反射镜进行光刻，形成光刻胶图形，...

本发明一种用于半导体激光器中光栅制作的腐蚀液，其特征在于，该腐蚀溶液是按体积比为：Ｂｒ↓［２］∶ＨＢｒ∶Ｈ↓［２］Ｏ＝１∶２５∶４８０配制的混合溶液。本发明的有益效果是在ＧａＩｎＰ材料上腐蚀出较好得光栅形貌，从而得到了好得器件性能。同时...

一种大功率激光二极管线列阵冷却装置，包括：底座，其包括两个台阶部和连接在两台阶部间的连接部，每一台阶部具有台面和立面，每个立面上开有螺纹孔和第一水道口，每个台阶部的外侧面开有第二水道口，在第一水道口处设有进行密封的密封单元；两个手柄，每...

一种长波长垂直腔面发射激光器的结构，包括：一Ｎ型ＧａＡｓ衬底；多个周期的下布拉格反射镜，该多个周期的下布拉格反射镜制作在衬底上；一有源区与多个周期的下布拉格反射镜联结；多个周期的上布拉格反射镜制作在有源区上的中间位置；一ＳｉＯ↓［２］掩...

一种用于电吸收调制激光器封装用的热沉，包括：一热沉；一第一信号电极蒸镀在热沉的一侧，用来给电吸收调制激光器提供工作时ＤＦＢ激光器所需要的偏置电流；一第二信号电极蒸镀在热沉的另一侧的上端，用来给电吸收调制激光器提供工作时ＥＡ调制器所需要的...

一种砷化铟和砷化镓的纳米结构，其特征在于，包括：一衬底；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上，以避免衬底上的缺陷；一第一势垒层，该第一势垒层制作在缓冲层上，起到限制载流子作用；一铟或镓的第一液滴层，该铟或镓的第一液滴层制作在第一势垒层表面；一...

一种分布反馈光纤激光器的调频、降噪的装置，包括：一半导体激光器；一第一波分复用器的９８０端与半导体激光器的输出端连接；一第一光隔离器的输入端与第一波分复用器的１５５０端连接；一有源相移光栅的一端与波分复用器的合波端连接；一第二光隔离器的...

本发明一种单片集成Ｙ波导连接的两激光器光电子器件，其特征在于，其中包括：两激光器，为平行的波长相近的激光器；一波导，该波导为Ｙ字形，分为第一端、第二端和第三端，所述的两激光器分别与波导的第二端和第三端连接；一直波导，该直波导与波导的第一...

一种针对二维叠层光源的折射法光束整形器，其特征在于，包括：一第一平行平板镜堆，该第一平行平板镜堆由多片平行平板镜堆叠而成；一第二平行平板镜堆，该第二平行平板镜堆由多片平行平板镜堆叠而成；其中该第一平行平板镜堆、第二平行平板镜堆依次放置在...

一种输出波长与功率稳定的可调谐单频掺铒光纤环形腔激光器，包括：一掺铒光纤激光器，并依次连接有１×２的３ｄＢ光学耦合器、第二２×２的３ｄＢ光学耦合器、第三２×２的３ｄＢ光学耦合器、光纤法布里－珀罗可调滤波器、偏振控制器以及２×２的３ｄＢ光...

本发明公开了一种制作高亮度半导体锥形激光器／放大器的方法，包括：在外延片Ｐ面上淀积介质保护材料，采用标准的光刻工艺进行第一次光刻；去胶清洗，采用标准的光刻工艺进行二次光刻；刻蚀或腐蚀制作脊形模式控制区台面；用介质保护材料作掩膜制作锥形增...

本发明是一种制造半导体固态白光光源的方法，包含一个发光波长位于近紫外的半导体激光器芯片，将其出射的激光用来做激发光源，激发由红色、绿色、蓝色三基色按照一定比例混合后的荧光粉，由此制备固态白光光源。由于半导体激光器的光斑易整形为均匀的发散...

本发明是一种选择区域外延叠层行波电吸收调制激光器的制作方法，包括：在半绝缘ＩｎＰ衬底上制作掩膜条图形；依次外延生长重掺杂ｎ－ＩｎＰ缓冲层、１．２Ｑ下限制层、调制器的多量子阱结构、激光器的多量子阱结构、１．２Ｑ上限制层与ｎ－ＩｎＰ反型层；...

本实用新型一种半导体激光器热沉管道，其特征在于，包括：一管道主体，该管道主体为矩形，在该管道主体之内有一断面呈“门”字形的通道，在管道主体的一侧面开有两个通道开口，该通道的开口之一为入水口，另一为出水口。该通道的壁面为“ｚ”字形折皱状，...

本实用新型一种半导体激光器热沉管道，其特征在于，包括：一管道主体，该管道主体为矩形，在该管道主体之内有一断面呈“门”字形的通道，在管道主体的一侧面开有两个通道开口，该通道的开口之一为入水口，另一为出水口。

本实用新型公开了一种使用于光子集成芯片的光子晶体激光器与光子晶体波导耦合输出器。该耦合输出器包括：二维半导体光子晶体激光器，二维半导体光子晶体波导与所述二维半导体光子晶体激光器依次放置在半导体芯片上，所述二维半导体光子晶体波导的一端与所...

一种均匀发射的激光光源，其特征在于，它由驱动电源、激光器、自聚焦透镜、光纤以及发射镜头诸部分组成，驱动电源的输出端与激光器的电功率输入端连接，自聚焦透镜设置在激光器的发光面与光纤的输入端之间，发射镜头设置在光纤的输出端前方。

本发明涉及制作半导体台面侧向电流限制结构的技术，衬底在生长上目标器件要求的材料后被腐蚀或刻蚀成台面，采用气相外延生长含阻塞层的二次外延层，然后将对应于台面上方的部分阻塞层挖穿，再生长三次外延层。由于避免了现有技术中的带掩膜的生长工艺，该...

一种高功率高亮度的半导体Ｐ－Ｉ－Ｎ二极管激光器的芯片结构，它包括由在折射率分布各不相同的一有源子波导和一无源子波导之间夹接一层耦合层组成一组合波导，组合波导的无源子波导一侧叠接下层限制层并叠接在一块半导体基片上，半导体基片、下层限制层、...

本发明公开了一种单模垂直腔面发射半导体激光器的器件结构，其结构特征是在激光器的上部布拉格反射器的顶层进行区域选择腐蚀形成一柱形结构，并保证基横模的光强主要限制在柱形中心未腐蚀的区域，而高阶横模则有较大比例的光强分光在顶层部分或全部腐蚀掉...