一种自组织砷化铟／砷化镓盘状量子点材料的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：　　　　１）将砷化镓衬底进行脱氧处理，然后生长砷化镓缓冲层，提供应力缓冲；　　　　２）砷化镓衬底温度；　　　　３）退火后采用循环停顿生长方法，生长出砷化铟量子点...

一种渐变铟镓砷材料的外延制备方法，其特征在于，包括如下步骤：　　　　（１）在衬底上外延生长一层缓冲层；　　　　（２）在缓冲层上外延生长一层下波导层；　　　　（３）在下波导层上外延生长渐变铟镓砷有源层；　　　　（４）接着在渐变铟镓砷有源层...

一种插拔式同轴封装半导体激光器批量生产方法，其特征在于，包括如下步骤：　　　　ａ）将完成盖帽工序的半导体激光器装入夹具，写入标识码；　　　　ｂ）送入半导体激光器测试系统进行耦合前自动检测；　　　　ｃ）进行耦合前筛选，合格产品送入下一工序...

一种用于半导体激光器光源的微型变焦结构，其特征在于，其中包括：　　　　一激光器；　　　　一柱透镜，该柱透镜置于激光器的前端，其可将半导体激光器垂直方向的光发散角压缩至激光器水平方向的发散角的３／４或２／３；　　　　一自聚焦透镜，该自聚焦...

一种多个半导体激光器的光纤耦合结构，其特征在于，其中包括：　　　　至少由多个半导体激光器，该多个半导体激光器同方向并行放置，是在一个平面或是在立体的空间内，每个半导体激光器的前端放置一个准直透镜；　　　　该多个激光器分别放置在准直透镜的...

一种半导体激光器热沉，其特征在于，其中包括：　　　　一热沉；　　　　一金属电极和一信号电极位于热沉的上表面；　　　　一地电极位于热沉的下表面；　　　　一导通孔位于热沉的上表面其中一个金属电极的区域内，并贯穿金属电极、整个热沉及地电极；　...

一种面发射激光器同轴封装用的热沉，其特征在于，其中包括：　　　　一热沉；　　　　一第一金属电极和一第二金属电极，该第一金属电极和第二金属电极制作在热沉的上表面；　　　　一第三金属电极，该第三金属电极制作在热沉的下表面；　　　　一第一金属...

一种矩阵寻址的垂直腔面发射激光器阵列器件，其特征在于，包括以下基本结构：　　　　共ｍ×ｎ个垂直腔面发射激光器单元；　　　　其中所述的垂直腔面发射激光器单元包括尺寸依次递减的三个台：底反射镜台、光腔台、和顶反射镜台，还有ｐ电极和ｎ电极；　...

一种半导体激光器和楔形波导模斑转换器集成器件，包括衬底区、导光区、限制区、电极区，其特征在于，其中：　　　　该限制区制作在衬底区上，该限制区包括，一ｎ型掺杂磷化铟下限制层，一ｐ型掺杂磷化铟上限制层，该ｐ型掺杂磷化铟上限制层分为两层，一层...

一种高铟组分镓砷／铟镓砷量子阱结构，其特征在于，其中包括：　　　　一过渡层，在衬底表面形成完整晶体表面；　　　　一第一势垒层，形成对载流子的能量势垒，该第一势垒层制作在过渡层上面；　　　　一量子阱层，起到将发光载流子限制在该层内的作用，...

一种电吸收调制分布反馈半导体激光器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：　　　　１）在ＩｎＰ衬底上同一次外延中先后生长ＩｎＰ缓冲层、下波导层、量子阱Ａ、ＩｎＰ刻蚀阻止层和多量子阱Ｂ；　　　　２）采用化学湿法选择腐蚀去掉调制器区的多量子阱...

一种电泵浦边发射半导体微腔激光器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：　　　　（Ａ）先在半导体材料上沉积电极；　　　　（Ｂ）然后光刻、湿法腐蚀出所需电极形貌；　　　　（Ｃ）再进行套刻；　　　　（Ｄ）然后用分步腐蚀的方法腐蚀出谐振腔和支架。

本发明一种高效硅基共振腔增强型探测器器件的制作方法，包括如下工艺步骤：ａ）在ＳＯＩ材料上顺序生长有源层和欧姆接触层；ｂ）将生长有有源层的ＳＯＩ硅片的背面进行减薄抛光；ｃ）双面生长掩膜层，并进行背面光刻腐蚀至埋层二氧化硅层；ｄ）然后在外延...

一种电泵浦边发射半导体微腔激光器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：（Ａ）先在半导体材料上沉积电极；（Ｂ）然后光刻、湿法腐蚀出所需电极形貌；（Ｃ）再进行套刻；（Ｄ）然后用分步腐蚀的方法腐蚀出谐振腔和支架。

一种混合集成的可调谐半导体激光器，其中包括：一衬底，在该衬底上用刻蚀的方法制作有定位槽；一激光器，该激光器制作在定位槽内；一脊型波导，刻蚀形成在衬底上，在脊型波导上形成有周期性的矩形槽；一布拉格光栅通过在脊型波导上周期性的矩形槽形成，该...

一种应用自聚焦透镜阵列的并行光发射模块，其中包括：一高频印制电路板，在该高频印制电路板的一端形成有一信号输入端口，该信号输入端口采用镀金的插板结构；一垂直腔面发射激光器阵列，该垂直腔面发射激光器阵列以倒装焊工艺直接集成在高频印制电路板上...

一种锁模光纤光栅外腔半导体激光器结构，其中包括：一半导体激光器，该半导体激光器构成整个器件的激光增益装置，其中间为量子阱结构有源层，在该半导体激光器上制作有激光器电极；一电吸收调制器，在该电吸收调制器上制作有调制器高频电极，该电吸收调制...

一种抑制相邻通道间耦合串扰的电极布线结构，包括一衬底，在其上形成低损耗的光波导及高性能的ＰＩＮ二极管结构；等间距的光波导阵列，形成光传播的路径；不等间距的Ｐ↑［＋］－Ｎ↑［＋］掺杂区对阵列，分布于等间距的光波导阵列两侧，与波导芯区形成Ｐ...

一种掩埋有高反射率布拉格反射镜的基片键合方法，包括如下步骤：ａ）在第一基片上进行掩模光刻，刻蚀出沟槽；ｂ）在沟槽中带胶生长高反射率布拉格反射镜；ｃ）用带胶剥离的方法除去光刻胶和沟槽外的反射镜；以及ｄ）对第一基片和第二基片进行清洗处理后键...

一种测量激光器芯片用的夹具，其特征在于，其中包括：一基板，该硅基板的上表面开有一Ｖ型沟槽，该Ｖ型沟槽的底部为一平面形的低台面；一金电极，该金电极制作在硅基板和Ｖ型沟槽的上表面上；一镀锡电极，该镀锡电极制作在Ｖ型沟槽的低台面上。