【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于光电子器件领域，更具体说是一种。
技术介绍
在光电集成电路和光纤通信系统的设计过程中，往往需要建立准确的光电子器件(激光器、探测器和调制器等)的模型，其中模型参数的取值需由器件的测量来确定，模型的准确性取决于测量的精度。在光电子器件芯片的高频特性的测量中，为了保证测量结果的准确性，通常需要借助商业化的共面微波探针来完成。在测试前，首先用探针的校准标准对探针进行校准，然后再把探针的影响从测量结果中扣除，这样就可以得到准确的光电器件的本征特性。但是，在大多数情况下，半导体激光器的P区电极和N区电极在不同的水平面上，不能用常规的共面微波探针来测量激光器芯片。在测量激光器芯片过程中，人们通常是把激光器管芯安装在一个热沉上。热沉上有一对共面电极，其中一个电极和芯片的N区电极通过金锡焊料焊接在一起，另一电极则通过金丝和芯片的P区电极相连，最后再用微波探针进行测量。由于压焊的金丝对的激光器芯片的高频特性有着很大的影响。因此，还需要经过一系列的校准以从测量结果扣除金丝的影响。
技术实现思路
为了解决以上问题，本专利技术的目的在于提供一种激光器芯片测量用的夹具及制作方...
【技术保护点】
一种测量激光器芯片用的夹具，其特征在于，其中包括：一基板，该硅基板的上表面开有一Ｖ型沟槽，该Ｖ型沟槽的底部为一平面形的低台面；一金电极，该金电极制作在硅基板和Ｖ型沟槽的上表面上；一镀锡电极，该镀锡电极制作在Ｖ型沟槽的 低台面上。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张胜利，孙建华，祝宁华，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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