一种三角形谐振腔半导体激光器，结构包括普通边发射激光器由下限制层，有源区和上限制层构成的平板波导，其特征在于：等边三角形外部区域腐蚀到下限制层或衬底，而未腐蚀的等边三角形区域作为谐振腔，三角形边作为反射镜面；本发明结构简单，易于实施，并...

一种氮化物半导体器件，其中包含：在绝缘衬底上生长氮化物缓冲层，在其上并与其相接触具有增强平行于ＰＮ结平面电子迁移率的又具有与负电极金属形成低阻欧姆接触功能的氮化物半导体多重异质及掺杂结构层构成的负电极ｎ型复合接触层。其具有新结构的氮化物...

一种具有等边三角形微光学谐振腔的光电器件，其是具有输出或输入波导的由一个或两个等边三角形构成的三角形谐振腔或菱形谐振腔的光电器件，结构包括由下限制层，有源区和上限制层构成的平板波导，等边三角形、菱形谐振腔外部区域腐蚀到下限制层或衬底，而...

一种激光器与光电开关集成的器件，在ｎ型ＧａＡｓ衬底上，用ＭＢＥ方法依次生长ｎ型ＧａＡｓ缓冲层，ｎ型ＡｌＡｓ／Ａｌ↓［０．１］Ｇａ↓［０．９］Ａｓ，ｎ型Ａｌ↓［０．２５］Ｇａ↓［０．７５］Ａｓ下限制层，ＧａＡｓ有源层，ｐ型Ａｌ↓［０．２５...

一种选择区域外延制作电吸收调制分布反馈激光器的方法，在磷化铟衬底上淀积二氧化硅层；在图形衬底上生长多量子阱有源区；在激光器区域制作布拉格光栅，在调制器区域刻制窗口，同时得到刻蚀波导所需的刻蚀停止层；在激光器与调制器形成光限制和电限制单脊...

半导体面发光器件及增强横向电流扩展的方法，包括：在半导体面发光器件的ｎ区（或ｐ区）具有增强平行于ｐ－ｎ结平面的电子迁移率的二维电子气（二维空穴气），以及在光输出面具有增强透光性网格状的电极。含有新结构的半导体面发光器件（如：发光二极管，...

一种面发射等边三角形谐振腔激光器，其是具有输出波导的由一个等边三角形构成的三角形谐振腔和使输出波导中的输出光偏转９０°的斜面的面发射半导体激光器，结构由下限制层，有源区和上限制层构成的平板波导，等边三角形外部区域腐蚀到下限制层或衬底，而...

一种半导体模式转换器的制作方法，１、在磷化铟衬底上生长下波导层；２、在波导上生长磷化铟间隔层、铟镓砷磷有源层和磷化铟盖层；３、在磷化铟盖层上淀积一层介质膜；４、沿模式转换器的出光方向在介质膜上刻出图形；５、采用选择腐蚀磷化铟；６、采用选...

一种自钝化非平面结三族氮化物半导体器件，包括蓝宝石衬底并外延生长有三族氮化物缓冲层和ｎ型三族氮化物负电极接触底层并淀积有电介质层；在淀积的电介质层上开有器件发光区窗口；在窗口区上再次外延生长有负电极接触顶层、防裂层、ｎ型限制层、量子阱有...

一种铟镓氮薄膜的快速填埋生长方法，其是在氮化镓／蓝宝石复合衬底上、或在其它形式的氮化镓基化合物复合衬底上，用快速填埋方法生长铟镓氮薄膜，其特征在于，快速填埋方法是：采用较大的有机源流量将铟埋入正在生长的氮化镓薄膜中，以阻止铟的聚焦和逃逸...

一种Ⅲ族氮化物单／多层异一种质应变薄膜的制作方法，包括如下制备步骤：（１）用一衬底，使在该衬底上外延的Ⅲ族氮化物晶体生长平面能够和（０００１）晶面垂直；（２）在衬底材料上外延预定厚度的Ⅲ族氮化物作为下一步外延生长模板；（３）在模板上外延...

本发明是在ＥＭＬ的激光器脊型波导的一侧制作一金属薄膜加热器，改变加热器的工作电流可以改变激光器的工作温度因而改变ＥＭＬ的波长；同时在ＤＦＢ激光器的后端加一段相位调制器，改变调相区的工作电流可以改变ＤＦＢ激光器的反馈光相位，进而改变ＤＦＢ...

本发明提出了一种ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ自组织量子点外延层结构，以及实现这一外延结构的分子束外延生长技术。通过精确控制分子束外延生长条件－用单原子层交替生长来控制量子点的组分、外延层厚度、形貌结构等，可以实现室温下１．３微米发光，并显著提...

本发明一种新型偏振可控光电子器件的制备方法，是利用波长为１．３μｍ－１．６３μｍ的铟镓砷（磷）／铟磷材料，同时引进不同厚度的张应变、压应变或晶格匹配层，随意改变各应变层的位置，从而获得对ＴＥ模和ＴＭ模具有相同放大增益效果的偏振不灵敏光学...

一种制作单／多层异质量子点结构的方法，这种结构用于制作发光器件和微电子器件的活性层，选择合适的衬底材料，在该衬底上外延所需的半导体薄膜材料作为衬底，然后对衬底材料表面进行钝化，然后在钝化后的表面上生长一层纳米尺寸的岛状诱导层，再生长单／...

本发明一种用于泵浦固体激光器的大功率激光二极管列阵泵浦腔，其特征在于，其中包括：一热沉，该热沉为一矩形体，在热沉的中间开有一通孔；一绝缘圈置于热沉的通孔内；多个激光二极管列阵条与多个弧形电极围成一圈安装于绝缘圈的内表面，弧形电极构成了内...

本发明一种形成镓砷／铝镓砷激光二极管的非吸收窗口的方法，其特征在于，包括如下步骤：（１）利用高温二氧化硅膜对有源区的压应力，在镓砷／铝镓砷激光二极管的前后腔面处形成非吸收窗口区，两窗口区的中间部分为注入区；（２）对窗口区中的条形以外的区...

本发明一种混合波导结构电吸收调制分布反馈激光器，包括：脊型波导结构电吸收调制器；脊型波导结构的隔离区，该隔离区与该电吸收调制器相连；掩埋异质结构ＤＦＢ隔离区，该激光器与该隔离区相连；所说的电吸收调制器、隔离区、激光器均制作在同一衬底上。

本发明混合有机镓源选择区域生长铟镓砷磷多量子阱的方法，是在选择生长铟镓砷磷多量子阱时，采用三乙基镓和三甲基铟生长限制层和垒，采用三甲基镓和三甲基铟生长阱；采用这种方法生长的量子阱材料，在选择生长区域，阱区有大的应变，而在非选择生长区域，...

一种具有周期性波导结构的光电探测器，它包括有：导波区，该导波区可对入射光进行吸收和传播，在导波区上制作周期光栅结构；上限制层，该上限制层生长在导波区之上，该上限制层的折射率小于导波区的折射率；下限制层，该下限制层制作在导波区下，该下限制...