混合有机镓源选择区域生长铟镓砷磷多量子阱的方法技术

本发明专利技术混合有机镓源选择区域生长铟镓砷磷多量子阱的方法，是在选择生长铟镓砷磷多量子阱时，采用三乙基镓和三甲基铟生长限制层和垒，采用三甲基镓和三甲基铟生长阱；采用这种方法生长的量子阱材料，在选择生长区域，阱区有大的应变，而在非选择生长区域，阱区应变小；垒和限制层在两个生长区域的应变变化很小，这使得选择生长区域的量子阱有高的发光效率，保证了高性能电吸收调制ＤＦＢ激光器的实现。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，特别是指一种优化的选区生长技术，它可以在选择区域内、外同时生长出高质量铟镓砷磷(InGaAsP)多量子阱材料。本专利技术一种，其特征在于在覆盖有介质膜图形的衬底上采用三族有机源三甲基镓、三乙基镓、三甲基铟和五族源砷烷、磷烷生长铟镓砷磷多量子阱。其中选择生长铟镓砷磷多量子阱时，采用三乙基镓和三甲基铟为三族源生长垒和限制层材料，采用三甲基镓和三甲基铟为三族源生长阱材料。其中混合三甲基镓、三乙基镓选择区域生长铟镓砷磷多量子阱材料，是采用以下步骤实现的1)、在磷化铟衬底上淀积厚度为50～500纳米的二氧化硅或氮氧化硅介质膜；2)、采用光刻方法把介质膜刻出条形图形，其中介质膜宽度为5～100微米，介质膜之间留下宽度为2～40微米的选择生长区域；3)、采用金属有机气相淀积技术在选择生长区和非选择生长区同时生长下限制层，采用的三族有机源是三乙基镓和三甲基铟；生长阱时，采用三甲基镓和三甲基铟；生长垒时，采用三乙基镓和三甲基铟；量子阱的周期为3～10；生长上限制层时，采用三乙基镓和三甲基铟。其中介质膜二氧化硅或氮氧化硅的厚度在50到500纳米之间。其中采用湿法化学腐本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种混合有机镓源选择区域生长铟镓砷磷多量子阱的方法，其特征在于：在覆盖有介质膜图形的衬底上采用三族有机源三甲基镓、三乙基镓、三甲基铟和五族源砷烷、磷烷生长铟镓砷磷多量子阱。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘国利，王圩，朱洪亮，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]