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本发明混合有机镓源选择区域生长铟镓砷磷多量子阱的方法，是在选择生长铟镓砷磷多量子阱时，采用三乙基镓和三甲基铟生长限制层和垒，采用三甲基镓和三甲基铟生长阱；采用这种方法生长的量子阱材料，在选择生长区域，阱区有大的应变，而在非选择生长区域，阱区...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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