电场增强效应的铟镓砷太赫兹探测器制造技术

本实用新型专利技术公开一种电场增强效应的铟镓砷太赫兹探测器，该探测器由磷化铟衬底上依次生长磷化铟缓型层，铟镓砷本征层，掺杂铟镓砷层和正负电极金属层构成。该探测器基于不同材料界面电场增强效应，选用组分适当的铟镓砷材料，通过有限元方法模拟计算，设计合理的天线耦合结构，通过前放电路对太赫兹信号进行放大读出，从而实现太赫兹信号的探测。具有可室温工作，探测灵敏度高，结构简单紧凑以及可大规模集成等优点，可以对太赫兹波信号进行成像检测。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利涉及太赫兹探测领域，具体涉及一种电场增强效应的铟镓砷太赫兹探测器。
技术介绍
太赫兹波段是介于微波毫米波与红外之间的电磁波段，其频率范围和波长范围分别为0.1THz—10THz，3mm—30μm。此前，人们对太赫兹波段的研究很少，该波段也一直被称为THz Gap。近年来，由于不断发现太赫兹波在材料，通信，生物化学，安全检测，空间遥感等领域上的巨大应用潜力，使得国内外的研究者对其研究热度大大提高。在太赫兹技术上，太赫兹探测技术是太赫兹科学与技术中最具应用前景的发展方向之一。由于太赫兹波的光子能量很小以及大气对太赫兹波段的强烈吸收，使得目前太赫兹探测器的发展较为缓慢。近年来，基于不同原理，使用不同探测材料制作的太赫兹探测器有了较大的发展。目前，太赫兹探测技术主要是有直接探测器和相干探测器两种，相干探测器如肖特基二极管混频器SBD、超导体—绝缘体—超导体隧道混频器SIS、半导体/超导体热电子bolometer混频器HEB虽然具有高的转换效率和低的噪声，但是本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电场增强效应的铟镓砷太赫兹探测器，其特征在于：所述的探测器的结构为在磷化铟衬底（1）上依次生长磷化铟层（2）、InxGa1?xAs层（3）、右掺杂InyGa1?yAs层（4）和左掺杂InyGa1?yAs层（5）、右掺杂InzGa1?zAs层（6）和左掺杂InzGa1?zAs层（7）以及正电极层（8）和负电极层（9）；其中：?所述的磷化铟衬底（1）厚度为0.5—1.5mm；?所述的磷化铟缓型层（2）厚度为50—150nm；?所述的InxGa1?xAs层（3）的厚度为2000—3000nm；?所述右掺杂InyGa1?yAs层（4）和左掺杂InyGa1?yAs层（5）的厚度为50—150nm；?...

【技术特征摘要】
1.一种电场增强效应的铟镓砷太赫兹探测器，其特征在于：所述的探测器的结构为在磷化铟衬底（1）上依次生长磷化铟层（2）、InxGa1-xAs层（3）、右掺杂InyGa1-yAs层（4）和左掺杂InyGa1-yAs层（5）、右掺杂InzGa1-zAs层（6）和左掺杂InzGa1-zAs层（7）以及正电极层（8）和负电极层（9）；其中： 
所述的磷化铟衬底（1）厚度为0.5—1.5mm； 
所述的磷化铟缓型层（2）厚度为50—150nm； 
所述的InxGa1-xAs层（3）的厚度为2000—3000nm； 
所述右掺杂InyGa1-yAs层（4）和左掺杂InyGa1-yAs层（5）的厚度为50—150nm； 
所述的右掺杂InzGa1-zAs层（6）和左掺杂InzGa1-zAs层（7）厚度为250—350nm； 
所述的正电极层（8）和负电极层（9）厚度为350—450nm，由金和锡溅射而成，用来兼做耦合天线和正负电极，该电极层覆盖在右掺杂Inz...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄志明，童劲超，黄敬国，褚君浩，
申请(专利权)人：中国科学院上海技术物理研究所，
类型：实用新型
国别省市：