【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于芯片制造
，尤其涉及。
技术介绍
光纤通信主要是通过激光器将电信号转换为光信号在光纤中传输，通过探测器将光信号转换为电信号而实现信号的长距离传输。随着现代超大数据信息的扩容，光通信需要越来越高的传输速率以加快数据的处理，因此，光通信需要高速率的探测器。特别是近年来IEEE标准802.3ba关于100Gb/s以太网物理层标准的建立，100Gb/s Base_LR4 (<10kmSMF)和100Gb/s Base-ER4 (<40km SMF)都需要采用4x25Gb/s探测器作为信号接收器件。对于PIN型InGaAs探测器，其工作速率主要由带宽决定。对于25Gb/s探测器，其-3dB带宽需要达到20GHz。探测器带宽主要由光电子在耗尽区的迁移时间ttr = d/v和RC弛豫时间共同决定(R为正向电阻，C为电容)，即探测器的带宽由ttr和RC共同决定。ttr约小，探测器工作速率越高。RC约小，带宽越高。通常，平面型探测器通过扩散形成PN结，除了扩散区上下PN结形成了电容，上部的P电极自然和底部η电极也形成电容，整体电容较大，...
【技术保护点】
一种高速铟镓砷探测器，其特征在于，所述探测器包括半绝缘InP衬底，所述InP衬底上依次生长有通过蚀刻形成的第一梯台和第二梯台，所述第一梯台底层为InP缓冲层，顶层为n型接触层，所述第二梯台从底层到顶层依次为第一腐蚀停止层、光吸收层、第二腐蚀停止层，所述第二腐蚀停止层上形成有p型接触层，在所述第二梯台侧面以及顶面且位于p型接触层的外周部分设有钝化层，所述钝化层为苯并环丁烯涂层或者聚酰亚胺涂层，探测器表面覆盖有起增透和钝化作用的介质层，穿过所述介质层在所述p型接触层上设有p型接触金属层并形成欧姆接触，穿过所述介质层在所述n型接触层上设有n型接触金属层并形成欧姆接触，所述介质层上...
【技术特征摘要】
1.一种高速铟镓砷探测器，其特征在于，所述探测器包括半绝缘InP衬底，所述InP衬底上依次生长有通过蚀刻形成的第一梯台和第二梯台，所述第一梯台底层为InP缓冲层，顶层为η型接触层，所述第二梯台从底层到顶层依次为第一腐蚀停止层、光吸收层、第二腐蚀停止层，所述第二腐蚀停止层上形成有P型接触层，在所述第二梯台侧面以及顶面且位于P型接触层的外周部分设有钝化层，所述钝化层为苯并环丁烯涂层或者聚酰亚胺涂层，探测器表面覆盖有起增透和钝化作用的介质层，穿过所述介质层在所述P型接触层上设有P型接触金属层并形成欧姆接触，穿过所述介质层在所述η型接触层上设有η型接触金属层并形成欧姆接触，所述介质层上还设有与所述P型接触金属层电连接的引线金属层。2.如权利要求1所述高速铟镓砷探测器，其特征在于，所述介质层为单层的氮化硅膜或氮化硅、氧化硅复合膜。3.如权利要求2所述高速铟镓砷探测器，其特征在于，所述第一腐蚀停止层为η型InP或者带隙对应波长小于1.3 μ m的InGaAs，所述第二腐蚀停止层为带隙对应波长为1.1~1.4 μ m 的 InGaAs。4.如权利要求1-3任一项所述高速铟镓砷探测器，其特征在于，所述InP衬底的掺Fe浓度小于5el7CnT3，所述InP缓冲层的厚度为0.1~0.5 μ m，所述η型接触层的掺杂浓度大于lel9Cm_3、厚度为0.2~1.0 μ m，所述第一腐蚀停止层的掺杂浓度低于le18cm_3、厚度小于0.05 μ m，所述光吸收层的掺杂浓度低于5el5Cm_3、厚度为1.0~1.8 μ m，所述第二腐蚀停止层的掺杂浓度低于5el5cm_3、厚度为0.05~0.1 μ m,所述p型接触层的掺杂浓度大于lel9cnT3、厚度小于0.1 μ m,其中η型接触层采用碳或硫作掺杂剂，P型接触层采用Zn或碳作掺杂剂。5.一种高速铟镓砷探测器的制造方法，其特征在于，所述方法包括: 1)在半绝缘InP衬底上使用金属有机化学气相沉积方法依次生长出InP缓冲层、η型接触层、第一腐蚀停止层、光吸收层、第二腐蚀停止层、P型接触层，得到探测器外延片晶片; 2)通过光刻工艺、电子束蒸发金属层和剥离工艺，在晶片表面形成外径为10~25μ m，宽度为I~2...
【专利技术属性】
技术研发人员：岳爱文，胡艳，李晶，刘科，
申请(专利权)人：武汉电信器件有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。