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本发明适用于芯片制造领域，提供一种高速铟镓砷探测器及其制作方法，所述探测器包括半绝缘InP衬底、第一梯台和第二梯台，所述第一梯台底层为InP缓冲层，顶层为n型接触层，所述第二梯台从底层到顶层依次为第一腐蚀停止层、光吸收层、第二腐蚀停止层，所...
该专利属于武汉电信器件有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉电信器件有限公司授权不得商用。

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