【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种铟镓砷磷／铟磷隐埋条形质量输运激光器，它在ＩｎＰ导电衬底上依次生长有ＩｎＰ限制层、非故意掺杂ＩｎＧａＡｓＰ有源层ＩｎＰ限制层，并通过ＩｎＰ质量输运形成完全隐埋结构，其特征是，在三层外延层上还生长有一接触顶层，在接触顶层上淀积Ｓｉ↓〔３〕Ｎ↓〔４〕或其它适当掩模层，通过光刻及选择性腐蚀沿０１１方向形成上宽下窄的倒台面支承结构。
【技术特征摘要】
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