【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体器件的制作工艺，特别是指一种。
技术介绍
半导体微腔激光器，特别是微柱型谐振腔激光器是近十几年来发展起来的一种光电器件，由于其可以利用半导体材料本身搞折射率和周围低折射率的空气形成全内反射，且体积小，在一维或三维上的尺度为波长的量级，在增益腔内仅有几个光学模式存在，因此大大增加了自发发射耦合到激射模中的几率，从而再很大程度上降低激射阈值。而且体积小，集成度高，可以实现大规模集成。但其发展受到了一些限制，尤其是电泵浦器件，由于其特殊的形状和发射特性，导致其制作工艺不可照搬一般条形激光器的制作工艺，这在很大程度上阻碍了其性能的提高和实用化进程。为了制成性能优良的微腔激光器，人们做了许多努力，目前主要有以下几种工艺1)采用带胶蒸发的办法，先光刻，将需要做电极的部分裸露，其它部分用抗蚀剂保护起来，蒸发电极，然后进行剥离，即将抗蚀剂与其上的金属膜与半导体材料剥离，这样就得到了所需电极的形状，然后再进行套刻、腐蚀，得到微谐振腔和支架。缺点是带胶蒸发由于受到后面剥离工艺的限制，不能将金属膜蒸的太厚，并且将电极的制作工艺局限于蒸发，不能根据需要采用溅射等其...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陆秀真，常秀兰，李成明，刘峰奇，王占国，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：
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