集成型半导体激光元件及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种集成型半导体激光元件，在可以使激光的特性提高的同时，可以降低光轴调整所花费的成本。该集成型半导体激光元件包括：具有凸部和凹部之一方的第１半导体激光元件、和具有凸部和凹部之另一方的第２半导体激光元件。而且，将第１半导体激光元件的凸部和凹部之一方嵌入第２半导体激光元件的凸部和凹部之另一方中。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，尤其涉及具备多个半导体激光元件的。
技术介绍
目前，已知沿半导体层的层叠方向集成多个半导体激光元件的集成型半导体激光元件。这种集成型半导体激光元件例如公开于特开2002-299739号公报中。图133是表示现有的集成型半导体激光元件的构造之斜视图。参照图133，在现有的集成型半导体激光元件中，沿半导体层的层叠方向(垂直方向、Z方向)集成第1半导体激光元件410与第2半导体激光元件420。在构成第1半导体激光元件410的半导体元件层411中，形成隆起部412与凹部413。该隆起部412与凹部413在水平方向(X方向)上间隔规定间隔来配置。另外，半导体元件层411的隆起部412的周边区域构成第1半导体激光元件410的发光区域414。另外，在构成第2半导体激光元件420的半导体元件层421中，形成隆起部422与凹部423。该隆起部422与凹部423在X方向上间隔规定间隔来配置。另外，半导体元件层421的隆起部422的周边区域构成第2半导体激光元件420的发光区域424。另外，经粘接层415和425来贴合第1半导体激光元件410与第2半导体激光元件420。具体而言，贴本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成型半导体激光元件，其特征在于：包括：在包含第１发光区域的同时、具有凸部和凹部之一方的第１半导体激光元件；和在包含第２发光区域的同时、具有凸部和凹部之另一方的第２半导体激光元件，将所述第１半导体激光元件的所述凸部和凹部中之一方嵌入所述第２半导体激光元件的所述凸部和凹部之另一方中。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：伊豆博昭，山口勤，大保广树，广山良治，畑雅幸，太田洁，
申请(专利权)人：三洋电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]