掺杂质基底的波导检测器制造技术

一种光学电路，包含：一半导体基材、一形成在该基材内或其上的光波导；以及形成在该半导体基材内或其上的光检测器，其中该光检测器系与该光波导对准，以便在操作期间接收来自该光波导的光学信号，且其中该光检测器具有：一第一电极；一第二电极；以及一介于该第一和第二电极间的中间层，该中间层系由半导体材料制成，其特征在于具有一导带、一价带、以及在该导带和价带间导入的深层能态（ｄｅｅｐ　　ｌｅｖｅｌ　　ｅｎｅｒｇｙ　　ｓｔａｔｅｓ）。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术大体而言系关于光学检测器及制造该种检测器的方法。
技术介绍
为了在半导体基材中建构光学信号分布网络，需要制造良好的光波导来散发该等光学信号，并且需要制造可将该等光学信号转变为电子信号以与其他电路交流的元件。可用两种方式来提取该等光学信号，若非从该波导中提取出光学信号本身被并传送至可将其转变为所需形式的其他电路，就是在波导中将光学信号转变为电子形式并且将该电子信号传送至其他电路。以光学信号形态提取光学信号牵涉到波导中的微镜、光栅或耦合器，或功能与这些装置类似的其他元件的使用。科学文献有越来越多可用来建构此种装置的技术的实例。以电子信号型态提取光学信号牵涉到波导中的检测器的使用，即，将光学信号转变为电子形式的电路元件。科学文献也有越来越多可用来达成此目的的检测器设计的实例。但是，当将准则限制在特定光学信号分布网络设计，并且将任何此类设计在制造上需相对容易且经济的现实情况列入考虑时，寻找能产生可接受的光学分布网络的元件组合的挑战变得更大。硅及硅锗合金(例如SixGe1-x)的组合以有用的材料组合的姿引起注意，因为能够轻易并且经济地由此制出光学信号分布网络。运用硅锗合金，要在硅基本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光学电路，包含：一半导体基材；一形成在该基材内或其上之光波导；以及一形成在该半导体基材内或其上之光检测器，该光检测器系与该光波导对准，以便在操作期间接收来自该光波导之光学讯号，该光检测器具有：一第一电极； 一第二电极；以及一介于该第一和第二电极间之中间层，该中间层至少包含一半导体材料，其特征在于具有一导带、一能阶比导带低之价带、以及导入在该导带和价带间之深层能态（ｄｅｅｐｌｅｖｅｌｅｎｅｒｇｙ）。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：劳伦斯C韦斯特，托马斯P皮尔索尔，弗朗西斯科A利昂，斯蒂芬莫法特，
申请(专利权)人：应用材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]