激光二极管的制法及其结构制造技术

一种激光二极管的制法及其结构，其制法主要包括下列步骤：将光二极管晶体结合于成排支架的各组引脚上的其中一引脚；再将一激光二极管晶体叠置结合于光二极管晶体上；通过打线以连结二晶体与各组引脚的其它引脚；于光二极管晶体上点胶，以形成一突面透镜利于收集激光于收光区；将设有开槽、缺槽及容置空间的壳体套设于完成上述动作的各组引脚上端，通过此完成激光二极管的组装；以及将成排支架的各组引脚与引脚之间的连接段裁开，即可得多个激光二极管。上述步骤精简，不仅令激光二极管可大量生产、大幅降低制造成本之外，同时该制出的激光二极管可增加其监控电流值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术旨在提供一种可增加监控电流(Monitor Current，以Im表示)值，并可保护连接打线、提升信赖度的激光二极管的制法及其结构，尤适于应用在激光二极管或类似的结构。
技术介绍
请同参图1及图2，已知的激光二极管结构以三块厚片金属21、22以及23所构成，金属21具有一个稍低平台211，该激光二极管25安置在厚片金属21上，光侦测二极管26安置在厚片金属21的稍低平台211上，以便接收激光二极管25后方出射的光线，侦测回馈之用。激光二极管25具有底面电极，以接触式耦合于厚片金属21，激光二极管25具有表面电极以打线27耦合至厚片金属22，光侦测二极管26具有底面电极，以接触式耦合于厚片金属21，该光侦测二极管26的表面电极以打线28耦合至厚片金属23。该胶体29将三金属21、22及23上的各元件封装保护起，唯独裸露激光二极管25的前端，使激光二极管25前端出射光线F达到最强，不被胶体29覆盖。该激光二极管25的后端出射光线B则出射至光侦测二极管26，使光侦测二极管26可以侦测激光二极管25后端的光线强度。由于激光二极管元件相当重视回授的监控电流(即MonitorCurrent，以Im表示)，然而上述已知的激光二极管的制程除较为繁琐外，该光侦测二极管为一平面式晶体，虽然光侦测二极管结合于一具有高低落差的金属平台上，但因激光二极管的发光角度小，故会有光侦测二极管无法接收到激光二极管回馈的光线的情况产生，乃为其最主要的缺陷。因此提出一种不但可简化制程、方便大量生产，并可使制出的激光二极管元件增加监控电流(Monitor Current，以Im表示)值、同时具有保护连接打线、提升信赖度的办法，实为本专利技术的用意。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在提供一种精简制程、令制造成本大幅下降的激光二极管的制造方法。本专利技术的次要目的在提供一种可供大量生产的激光二极管的制造方法。本专利技术的再一目的，在提供一种可增加监控电流(MonitorCurrent，以Im表示)值，并可保护连接打线，以提升信赖度的激光二极管结构。为达上述的目的，本专利技术的方法所采取的步骤包括步骤1、将光二极管晶体(photo diode)结合于成排支架的各组引脚上的其中一引脚；步骤2、再将一激光二极管晶体(laser diode)叠置结合于光二极管晶体(photo diode)上；步骤3、通过打线以连结二晶体与各组引脚的其它引脚；步骤4、于光二极管晶体(photo diode)上点胶，以形成一突面透镜利于收集激光于收光区；步骤5、将设有开槽及容置空间的壳体套设于完成上述动作的各组引脚上端，通过此完成激光二极管的组装；以及步骤6、将成排支架的各组引脚与引脚之间的连接段裁开，即可得多个激光二极管。通过上述精简步骤，不仅令激光二极管元件可大量生产，且可大幅降低制造成本，同时该制出的激光二极管可增加其监控电流(MonitorCurrent，以Im表示)值、并具有保护连接打线、提升信赖度的功效。本专利技术的其它特点及具体实施例可于以下配合附图的详细说明中，进一步了解。附图说明图1为已知的激光二极管的平面俯视图。图2为已知的激光二极管的剖示图。图3为本专利技术的制造流程图。图4为本专利技术支架结合二晶体的示意图。图5为本专利技术支架套设壳体的动作示意图。图6为本专利技术实施例的剖面示意图。图7为本专利技术另一实施例制造流程图。图中符号说明21，22，23 厚片金属211 稍低平台25 激光二极管 26 光侦测二极管27 打线 28 打线29 胶体F 前端出射光线 B 后端出射光线30 成排支架31 结合部40 光二极管晶体(photo diode)50 激光二极管晶体(laser diode)60 透明胶 70 壳体71 开槽72 缺槽具体实施方式图1、图2为已知的激光二极管的俯视图及剖示图，其组成结构如上所述，故于此不再赘述。请参图3，本专利技术的制程包括以下步骤步骤1、将光二极管晶体(photo diode)结合于成排支架的各组引脚上的其中一引脚；步骤2、再将一激光二极管晶体(laser diode)叠置结合于光二极管晶体(photo diode)上；步骤3、通过打线以连结二晶体与各组引脚的其它引脚；步骤4、于光二极管晶体(photo diode)上点胶，以形成一突面透镜利于收集激光于收光区；步骤5、将设有开槽、缺槽及容置空间的壳体套设于完成打线及点胶的各组引脚上端，通过此完成激光二极管的组装；以及步骤6、将成排支架的各组引脚与引脚之间的连接段裁开，即可得多个激光二极管。在实际制造时，先将光二极管晶体(photo diode)40结合于未裁切的成排支架30的各组引脚上，本实施例的支架30设为复数个相连的三引脚，且该三引脚的中间引脚顶端设有一大面积结合部31，如图4所示，由于结构相同故以单一结构说明，于大面积结合部31上粘合光二极管晶体(photo diode)40，再将另一激光二极管晶体(laser diode)50局部叠合于光二极管晶体(photo diode)40上，使二晶体40、50产生局部重合粘设，并通过打线使二晶体40、50与该组其它的引脚连接导通。再于完成连接打线的光二极管晶体(photo diode)40上点胶，通过所点的透明胶60以形成一突面透镜，该透明胶60可独立点设，或点设时与二连接打线接触，以更进一步的结合保护二连接打线，请再同参图5～图6，取设有开槽71、缺槽72以及容置空间的壳体70，由上而下套设于完成二晶体40、50结合、打线及点胶程序的各组引脚顶部，使三引脚上端(含大面积结合部31)、二晶体40、50、二连接打线以及透明胶60均置于壳体70的容置空间中，藉此完成成排激光二极管的制作，而将成排的支架30裁开(各组引脚与三引脚之间的连结段亦要裁开)，即可得多个激光二极管，适于大量生产制造。该制出的激光二极管与电源连结后，该激光二极管晶体(laserdiode)30前、后二端射出激光线，前端发出的激光线经壳体70的开槽71射出，该后端发出的激光线经突面的透明胶25的折射、收集，以增加光二极管晶体(photo diode)40所接收到的激光，以利外接电路作为回授使用，不会再有已知的光侦测二极管无法或不够接收到激光二极管回馈光线的情况产生。请再参图6，为本专利技术的另一实施例制程，包括下列步骤步骤1、将设有开槽、缺槽及容置空间的壳体套设于成排支架的各组引脚上；步骤2、将光二极管晶体(photo diode)结合于完成壳体套设的各组引脚上的其中一引脚；步骤3、再将一激光二极管晶体(laser diode)叠置结合于光二极管晶体(photo diode)上；步骤4、通过打线以连结二晶体与各组引脚的其它引脚；步骤5、于光二极管晶体(photo diode)上点胶，以形成一突面透镜利于收集激光于收光区，通过此完成激光二极管的组装；以及步骤6、将成排支架的各组引脚与引脚之间的连接段裁开，即可得多个激光二极管。由上可知，以本专利技术的制法及制出的结构具有如下实用优点1、由于制程简便、快速，故可大量生产，令制造成本大幅下降，且使制出的激光二极管品质稳定、良率提升。2、于光二极管晶体(photo diode)上点胶，令光二极管晶体(本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种激光二极管的制法，其特征是，包括下列步骤：步骤１．将光二极管晶体结合于成排支架的各组引脚上的其中一引脚；步骤２．再将一激光二极管晶体叠置结合于光二极管晶体上；步骤３．通过打线以连结二晶体与各组引脚的其它引脚； 步骤４．于光二极管晶体上点胶，以形成突面透镜利于收集激光于收光区；步骤５．将设有开槽及容置空间的壳体套设于完成点胶的各组引脚上端，通过此完成激光二极管的组装；以及步骤６．将成排支架的各组引脚与引脚之间的连接段裁开，即可得 多个激光二极管。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张暐，林宗纬，
申请(专利权)人：东贝光电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]