电吸收调制激光器和模斑转换器的集成方法技术

一种电吸收调制激光器和模斑转换器的集成方法，包括：在衬底上生长ｎ型磷化铟缓冲层等；腐蚀晶片上最上面的１．１Ｑ层，生长缓冲层；在整个晶片上面生长二氧化硅保护层，腐蚀去掉两端模斑转换器的二氧化硅保护层；使用热耙低能磷离子注入；重长二氧化硅保护层；对晶片加热、保温、退火；腐蚀二氧化硅保护层；利用相应的光刻板把激光器和调制器区域进行掩蔽，刻出端模斑转换器上脊形状和下脊形状；生长ｐ型磷化铟，铟镓砷磷刻蚀停止层；光刻脊型波导结构；在激光器和调制器区两边淀积聚酰亚胺；开激光器和调制器区电极窗口；光刻激光器和调制器区电极图形后溅射Ｐ电极并带胶剥离出Ｐ电极；外延片衬底减薄、溅射ｎ电极；样品经划片解理成管芯，完成整个器件的工艺制作。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及通过选择区域生长(SAG)，量子阱混杂(QWI)及非对称双波导(ATG)技术，采用常用的湿法腐蚀和光刻工艺制作。
技术介绍
随着现代信息社会的发展，超大容量和长距离信息的高速传输、处理和存储是十分关键的技术。无论是长途通信的干线网、广域网、还是短途通信的局域网、接入网、短途数据联接光交换等都需要大量的高性能、低成本的光电子器件来支撑网络的功能。开发单片集成的多功能光子器件是降低系统成本，推动光电子器件技术进步的关键所在。分布反馈(DFB)式半导体激光器是目前高速通信中最为理想的激光源，它有低的阈值电流和小的波长温度系数(0.08nm％，而一般的FP半导体激光器则为0.4nm％)，具有动态单纵模特性。电吸收调制器具有高速、高的消光比和低的啁啾噪声，体积小，驱动电压低以及易于集成的优点，可用于DWDM系统和时分复用(OTDM)的外调制器和信号发生器，也可以做成光开关。模斑转换器可以将半导体芯片(如激光器、光放大器、电吸收调制器)输出的椭圆光斑变成和单模光纤(SMF)的本征光斑相匹配的圆光斑，从而提高器件与SiO2波导(光纤)的耦合效率，增加耦合容差，降低耦合成本。对于大本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电吸收调制激光器和模斑转换器的集成方法，其特征在于，包括以下制作步骤：（１）在ｎ型磷化铟衬底上外延生长ｎ型磷化铟缓冲层、下波导层、磷化铟空间层、和一层１．１Ｑ层；（２）利用离子增强化学沉积技术在１．１Ｑ层生长二氧化硅，利用光刻板在激光器区域定义出二氧化硅掩膜对；（３）腐蚀液腐蚀晶片上最上面的１．１Ｑ层，在刻有掩膜对的晶片上面生长下光限制层，多量子阱区及上光限制层和本征铟磷注入缓冲层；（４）利用离子增强化学沉积的方法在整个晶片上面生长二氧化硅保护层，利用相应的光刻板，腐蚀去掉两端模斑转换器的二氧化硅保护层，同时保留激光器和调制器区的二氧化硅保护层；（５）使用热耙低能磷离子注入，在两端模斑转换...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：侯廉平，王圩，朱洪亮，周帆，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：11[]