【技术实现步骤摘要】
对相互有关的专利申请的参考本专利申请要求根据35 U.S.C§119(e)对2002年3月4日提交的临时专利申请No.60/361,792的优先权。
技术介绍
1.专利
所公开的主题总的涉及半导体激光器领域2.背景信息半导体激光器被使用于各种各样的系统应用。例如,半导体激光器被用作为光纤通信系统中的光源。通常希望提供具有高功率输出的半导体激光器。高的功率输出减小对于光学系统所需要的转发器和放大器的数目。高功率的半导体激光器(诸如激光二极管)当工作在0.5瓦(W)或更高的功率时,生成具有相对较低质量的激光束。低质量的光束通常很难耦合进入单模光纤光缆。已经开发了能产生超过1W的高质量光束的激光二极管。这样的高功率激光二极管典型地包括生成激光束的反馈部分,和放大光束的分开的放大部分。已经发现,由这些高功率激光二极管生成的一些光将反射回器件。因为激光束的高的相干性和窄的线宽,反射光将产生使激光器去稳定化(destabilize)的反馈。这种不想要的反馈可以通过光隔离器被最小化或被减小。隔离器增加制造光学系统的复杂度和成本。专利技术概要半导体激光器,包括被耦合到放大器部分的 ...
【技术保护点】
一种半导体激光器,包括:生成在第一波长处具有最大强度的输出激光束的反馈激光器部分;以及被耦合到所述反馈激光器部分并且在偏离第一波长的第二波长处具有峰值光增益的放大器部分。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员:JE昂加,
申请(专利权)人:昆特森斯光电技术公司,
类型:发明
国别省市:US[美国]
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