产生太赫兹辐射的装置以及半导体元件制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种产生太赫兹（ＴＨｚ）辐射的装置，带有锁模的短脉冲激光器（１），向其输送泵束（３），还带有具有谐振器反射镜（Ｍ４）的半导体元件，该元件同时为在撞击的激光脉冲基础上产生ＴＨｚ辐射构成，其中，谐振器反射镜（Ｍ４），最好是具有对短脉冲激光器（１）的激光辐射部分透射半导体层（８）的谐振器反射镜，半导体层的吸收端处于短脉冲激光器（１）激光辐射能量的下面，并且可与偏压源连接的电极（９，１０）安装在半导体层上面，以便在电场内产生ＴＨｚ辐射并将其辐射。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及产生太赫兹(THz)辐射的装置，带有锁模短脉冲激光器，向其输送泵束，还带有具有谐振器反射镜的半导体元件，该元件同时为在撞击的激光脉冲基础上产生THz辐射构成。本专利技术还涉及半导体元件，带有在设置谐振器反射镜的激光器上使用的谐振器反射镜，可以使激光器锁模工作，其中，该半导体元件同时为在撞击的激光脉冲基础上产生THz辐射构成。太赫兹范围内(1011赫兹至1013赫兹)，确切地说，是在与脉冲形式下相同的连续波形式下的电磁辐射，例如可以具有巨大优点地用于光谱学，但也可以用于例如像未来计算机这样的其他领域。为产生这样的太赫兹辐射，已经提出了各种各样的建议，例如像Sarukura等人的“All-Solid State，THz Radiation Source Using a Saturable BraggReflector in a Femtosecond Mode-Locked Laser”，Jpn.J.Appl.Phys.，Vol.36，Part 2，No.5A，1 May 1997，pp.L560-L562(日本物理杂志，第36卷，第二部分，No，5A，1997年5月本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种产生太赫兹（ＴＨｚ）辐射的装置，带有锁模的短脉冲激光器，向其输送泵束，还带有具有谐振器反射镜的半导体元件，该半导体元件同时为在撞击的激光脉冲基础上产生ＴＨｚ辐射构成，其特征在于，提供的谐振器反射镜（Ｍ４）具有对短脉冲激光器（１）的激光辐射部分透射的半导体层（８），半导体层的吸收端处于短脉冲激光器（１）激光辐射能量的下面，并且可与偏压源连接的电极（９，１０）安装在半导体层上，以便在电场内产生ＴＨｚ辐射并将其辐射。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：卡尔安特尔瑞纳，戈特弗里德施特拉塞尔，尤拉伊道尔莫，安德烈亚斯施廷格尔，图安勒，
申请(专利权)人：费姆托激光产品股份有限公司，
类型：发明
国别省市：AT[奥地利]